[發明專利]晶片位置檢測裝置有效
| 申請號: | 201310407311.5 | 申請日: | 2013-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN104425304B | 公開(公告)日: | 2018-05-25 |
| 發明(設計)人: | 張孟湜 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/68;H01L21/687;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 相對位置關系 檢測 預設標準 檢測裝置 晶片位置 單元檢測 位置檢測裝置 傳輸過程 種晶 修正 | ||
1.一種晶片位置檢測裝置,其特征在于,包括多個檢測單元,每個所述檢測單元用以檢測其與晶片之間的相對位置關系;
所述晶片位置檢測裝置根據所述多個檢測單元與所述晶片的預設標準位置之間的相對位置關系,以及所述多個檢測單元檢測的所述多個檢測單元與晶片之間的相對位置關系,判斷所述晶片是否處于所述晶片的預設標準位置;
所述多個檢測單元包括:
至少兩個第一檢測單元和至少一個第二檢測單元;所述每個第一檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的內部,且靠近其邊緣的位置;所述每個第二檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的外部,且靠近其邊緣的位置;并且所述晶片的預設標準位置的圓心位于所述第一檢測單元和第二檢測單元依次連接形成的多邊形外部;或至少兩個第一檢測單元和至少一個第二檢測單元;所述每個第一檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的外部,且靠近其邊緣的位置;所述每個第二檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的內部,且靠近其邊緣的位置;并且所述晶片的預設標準位置的圓心位于所述第一檢測單元和第二檢測單元依次連接形成的多邊形外部。
2.根據權利要求1所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,裝載所述晶片的機械手的手部上設置有定位件,用以防止晶片向機械手的手臂方向移動,并使晶片不能在垂直于機械手的手臂的方向作直線運動;并且
所述多個檢測單元包括第一檢測單元和第二檢測單元;
所述第一檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的內部,且靠近其邊緣的位置;
所述第二檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的外部,且靠近其邊緣的位置;并且所述第二檢測單元與所述定位件分別位于所述晶片的預設標準位置的兩側。
3.根據權利要求2所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,所述第一檢測單元的數量為多個,所述第二檢測單元的數量為一個或多個。
4.根據權利要求1所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,所述多個檢測單元包括至少三個第一檢測單元;且所述每個第一檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的內部,且靠近其邊緣的位置;并且
所述晶片的預設標準位置的圓心位于所述多個第一檢測單元依次連接形成的多邊形內部。
5.根據權利要求1所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,所述多個檢測單元包括至少三個第一檢測單元;且所述每個第一檢測單元對應于所述晶片的預設標準位置的外部,且靠近其邊緣的位置;并且
所述晶片的預設標準位置的圓心位于所述多個第一檢測單元依次連接形成的多邊形內部。
6.根據權利要求1所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,所述檢測單元為光電傳感器、激光傳感器或光纖傳感器,所述光電傳感器、激光傳感器或光纖傳感器設于所述晶片的預設標準位置的上方或下方;或者
所述檢測單元為信號發射和接收裝置,其包括信號發射裝置和信號接收裝置,所述信號發射裝置和信號接收裝置分別設于所述晶片的預設標準位置的上下兩側。
7.根據權利要求1所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,所述晶片位置檢測裝置還包括判斷單元;
所述檢測單元以向判斷單元發送信號的方式將其檢測到的所述檢測單元與晶片之間的相對位置關系發送至判斷單元;所述判斷單元根據所述多個檢測單元與所述晶片的預設標準位置之間的相對位置關系以及其接收到的所述檢測單元與晶片之間的相對位置關系判斷所述晶片是否處于所述晶片的預設標準位置。
8.根據權利要求7所述的晶片位置檢測裝置,其特征在于,所述晶片位置檢測裝置還包括報警裝置;
所述判斷單元在其判斷所述晶片未處于所述晶片的預設標準位置時,向報警裝置發送信號,所述報警裝置用以在接收到該信號后,發出報警信號。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





