[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 201310406879.5 | 申請日: | 2013-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN103681759A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 金桓鎮 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艷春 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
顯示基板;
有機發光器件,形成在所述顯示基板上;
封裝部件,用于覆蓋所述有機發光器件;
密封部件,形成在所述顯示基板的周圍部和所述封裝部件的周圍部之間;以及
沖擊吸收層,形成在所述顯示基板的下部;
在所述沖擊吸收層中沖擊吸收劑所占的面積比率隨著從所述顯示基板的周圍部越往中心部而增加。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中,所述沖擊吸收層包括:
中心沖擊吸收層,形成在與所述顯示基板的中心部對應的位置;以及
周圍沖擊吸收層,形成在與所述顯示基板的周圍部對應的位置,并且其沖擊吸收率大于所述中心沖擊吸收層的沖擊吸收率。
3.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述中心沖擊吸收層包括所述沖擊吸收劑,
所述周圍沖擊吸收層包括所述沖擊吸收劑以及形成在所述沖擊吸收劑上的緩沖開口部。
4.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述緩沖開口部是多個緩沖孔。
5.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中,
在所述周圍沖擊吸收層中所述多個緩沖孔所占的面積比率隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而減小。
6.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述多個緩沖孔的尺寸隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而減小。
7.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述多個緩沖孔之間的孔間隔隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而增加。
8.根據權利要求3所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述緩沖開口部是多個緩沖開口線。
9.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其中,
在所述周圍沖擊吸收層中所述多個緩沖開口線所占的面積比率隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而減小。
10.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述多個緩沖開口線的寬度隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而減小。
11.根據權利要求8所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述多個緩沖開口線之間的開口線間隔隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而增加。
12.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述中心沖擊吸收層包括高密度沖擊吸收劑,
所述周圍沖擊吸收層包括低密度沖擊吸收劑。
13.根據權利要求12所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述低密度沖擊吸收劑的所占面積比率隨著從所述周圍沖擊吸收層的外圍部越往所述周圍沖擊吸收層的內側部而減小。
14.根據權利要求13所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述高密度的沖擊吸收劑為聚對苯二甲酸乙二酯、聚氨酯、聚苯乙烯、聚丙烯中的一種。
15.根據權利要求13所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述低密度的沖擊吸收劑為多孔型聚丙烯、多孔型聚氨酯、多孔型丙烯酸中的一種。
16.根據權利要求2所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述周圍沖擊吸收層與所述密封部件重疊。
17.根據權利要求16所述的有機發光顯示裝置,其中,
所述周圍沖擊吸收層的寬度大于所述密封部件的寬度。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310406879.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





