[發(fā)明專利]屏蔽裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310406872.3
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN104427841A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙知勇
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)想（北京）有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子元件領(lǐng)域，尤其涉及屏蔽裝置。

背景技術(shù)

電子設(shè)備中集成在印刷電路板上的電子元件通常會產(chǎn)生電能、磁能及電磁能，多個電子元件分別產(chǎn)生的電能、磁能及電磁能會干擾在電子設(shè)備中其它電子元件的性能，為了保護電子元件、減少干擾，需要對電子元件進行屏蔽處理。對電子元件進行屏蔽處理的裝置稱為屏蔽裝置，屏蔽裝置通常采用導(dǎo)電材料制成。

如圖1所示，屏蔽裝置多為罩體11，用罩體11罩住所需屏蔽的多個電子元件所組成的電子元件組12后將其焊接在印刷電路板13上即可。為防止外力擠壓罩體11頂面的外表面111時，該外表面111發(fā)生變形而導(dǎo)致罩體11頂面的內(nèi)表面113直接接觸到電子元件12而使電子元件12發(fā)生短路，因此要在該內(nèi)表面113與電子元件組12間留有間隙。

隨著當(dāng)今社會對電子設(shè)備薄型化發(fā)展趨勢的需求，越來越多的廠家為了降低屏蔽裝置的高度會在罩體11頂面上設(shè)置如圖2所示的開口112，此開口112設(shè)置于電子元件組中最高的電子元件所對應(yīng)的罩體頂面的位置處，且需使該高度最高的電子元件的頂面剛好與罩體11頂面的外表面111位于同一水平面上；在頂面設(shè)置開口后，罩體11頂面外表面111的高度等于高度最高的電子元件的高度，因此省去了罩體11頂面本身的厚度所占用的高度空間，同時也省去了罩體11頂面的內(nèi)表面113與電子元件組12間隙的高度，因此降低了屏蔽裝置的高度，從而可以節(jié)省容納該屏蔽裝置的電子設(shè)備的高度。

由于罩體頂面設(shè)置了開口，開口處沒有屏蔽材料無法起到屏蔽作用，因此導(dǎo)致了屏蔽裝置對所需屏蔽的電子元件組起不到最佳的屏蔽效果，以致屏蔽裝置內(nèi)部被罩住的電子元件與屏蔽裝置外部的電子元件間產(chǎn)生電場、磁場及電磁場的干擾，從而降低了電子設(shè)備的性能。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實施例提供一種屏蔽裝置，解決了使用具有開口的薄型屏蔽裝置對電子元件進行屏蔽時，由于屏蔽效果不佳而導(dǎo)致的電子設(shè)備性能降低的問題。

為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案：

一種屏蔽裝置，包括罩體，用于罩住印刷電路板上的電子元件組，且固定在所述印刷電路板上所述罩體頂面對應(yīng)所述電子元件組中最高的電子元件位置設(shè)有開口，且所述最高的電子元件的頂面與所述罩體的頂面位于同一水平面上；所述屏蔽裝置還包括絕緣構(gòu)件和導(dǎo)電構(gòu)件；所述導(dǎo)電構(gòu)件覆蓋所述開口；所述絕緣構(gòu)件位于所述導(dǎo)電構(gòu)件和所述最高電子元件的頂面之間，以使得所述導(dǎo)電構(gòu)件與最高電子元件之間無接觸。

所述絕緣構(gòu)件的邊緣大于所述開口的邊緣，或者，所述絕緣構(gòu)件的邊緣不小于所述最高的電子元件的頂面邊緣。

為了使絕緣構(gòu)件具有更好的絕緣效果，所述導(dǎo)電構(gòu)件的邊緣不小于所述絕緣構(gòu)件的邊緣。

為了減小屏蔽裝置的高度，所述絕緣構(gòu)件與所述導(dǎo)電構(gòu)件及所述最高電子元件的頂面分別粘合。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電構(gòu)件為鋁膜、銅膜或?qū)щ姴肌?/p>

優(yōu)選地，所述絕緣構(gòu)件為絕緣膠。

優(yōu)選地，所述絕緣構(gòu)件與所述開口的粘合處設(shè)有粘合膠。

優(yōu)選地，所述絕緣構(gòu)件相對所述開口的表面設(shè)有粘合膠。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電構(gòu)件的四周與所述絕緣構(gòu)件的四周設(shè)有粘合膠。

優(yōu)選地，所述導(dǎo)電構(gòu)件表面與所述絕緣構(gòu)件表面的粘合面間設(shè)有粘合膠。。

本發(fā)明實施例提供的屏蔽裝置中，由于使用導(dǎo)電構(gòu)件覆蓋罩體的開口，屏蔽裝置多采用導(dǎo)電材料制成，導(dǎo)電構(gòu)件具有導(dǎo)電性，因此可提高屏蔽裝置的屏蔽效果，同時為了防止導(dǎo)電構(gòu)件與最高電子元件頂部之間直接接觸而產(chǎn)生短路問題，在導(dǎo)電構(gòu)件和最高電子元件的頂面之間還設(shè)置了絕緣構(gòu)件，從而使屏蔽裝置能夠可靠地為電子元件屏蔽干擾信號。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的屏蔽裝置的一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的屏蔽裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的屏蔽裝置的另一種結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。