[發明專利]一種PSOI橫向高壓功率半導體器件

有效

• 申請號: 201310406464.8
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN103515428A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 喬明;李燕妃;許琬;胡利志;吳文杰;蔡林希;陳濤;張波
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種PSOI橫向高壓功率半導體器件，其元胞結構包括第一導電類型半導體襯底（1）、埋氧化層（2）、第一導電類型半導體體區（31）、第二導電類型半導體緩沖層（41）、第一導電類型半導體第一重摻雜區（32）、第二導電類型半導體第一重摻雜區（42）、第二導電類型半導體第二重摻雜區（43）、層間介質（51）、柵氧化層(52)、源極金屬(61）、漏極金屬(62)和多晶硅柵電極(63)，其特征在于，還包括第一導電類型半導體埋層(34)、第二導電類型半導體第一漂移區(44)、第二導電類型半導體第二漂移區(45)和第二導電類型半導體埋層（46）；其中，第一導電類型半導體埋層（34）、第二導電類型半導體埋層（46）和埋氧化層（2）依次連接并覆蓋在第一導電類型半導體襯底（1）上表面，第一導電類型半導體體區（31）設置在第一導電類型半導體埋層（34）上表面，第一導電類型半導體第一重摻雜區（32）和第二導電類型半導體第一重摻雜區（42）分別獨立設置在第一導電類型半導體體區（31）中，第二導電類型半導體第一漂移區（44）設置在第二導電類型半導體埋層（46）上表面，第二導電類型半導體第二漂移區（45）設置和在第二導電類型半導體緩沖層（41）設置在埋氧化層（2）的上表面，第一導電類型半導體體區（31）、第二導電類型半導體第一漂移區（44）、第二導電類型半導體第二漂移區（45）和第二導電類型半導體緩沖層（41）依次連接，第二導電類型半導體第二重摻雜區（43）設置在第二導電類型半導體緩沖層（41）中，源極金屬(61）設置在第一導電類型半導體第一重摻雜區（32）和部分第二導電類型半導體第一重摻雜區（42）的上表面，漏極金屬(62)設置在部分第二導電類型半導體第二重摻雜區（43）的上表面，柵氧化層(52)設置在部分第二導電類型半導體第一重摻雜區（42）和第一導電類型半導體體區（31）的上表面，多晶硅柵電極(63)設置在柵氧化層(52)的上表面，層間介質（51）填充在源極金屬(61）、漏極金屬(62)之間將源極金屬(61）、漏極金屬(62)和多晶硅柵電極(63)相互隔離。

2.根據權利要求1所述的一種PSOI橫向高壓功率半導體器件，其特征在于，所述第二導電類型半導體第二重摻雜區（43）用第一導電類型半導體第二重摻雜區（33）代替。