[發明專利]一種釕薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201310405900.X
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN103474392A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 張春敏;王鵬飛;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;C23C14/16;C23C14/54
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.?一種釕薄膜的制備方法，采用等離子體原子層淀積技術，其特征在于具體步驟為：

（1）反應腔預先加熱至225℃~275℃；將需要生長釕薄膜的基底放入反應腔中；

（2）利用等離子體增強原子層淀積工藝制備釕薄膜，釕薄膜厚度由反應周期數控制；???

（3）在氫氣和氮氣的混合氣體氛圍下對所制得的釕薄膜進行高溫退火處理。

2.?根據權利要求1所述的釕薄膜的制備方法，其特征在于步驟（2）中控制反應周期數為150~300。

3.?根據權利要求1所述的釕薄膜的制備方法，其特征在于步驟（2）中利用等離子體增強原子層淀積工藝制備釕薄膜的單個反應周期包括：將雙(乙基環戊二烯基)釕(II)加熱至105℃~120℃，得到的揮發氣體通入反應腔中，通入時間為2秒~8秒，排空反應腔，用功率為80瓦~120瓦的氧氣等離子體對基底進行曝光，曝光時間為0.5秒~3秒，排空反應腔。

4.?根據權利要求1所述的釕薄膜的制備方法，其特征在于步驟（3）中所述的氫氣和氮氣的混合氣體中，氫氣的比例為3%~10%。

5.?根據權利要求1所述的釕薄膜的制備方法，其特征在于步驟（3）中所述的高溫退火的溫度為250℃~450℃，退火時間為2分鐘~5分鐘。