[發明專利]低輪廓圖像傳感器封裝和方法有效
| 申請號: | 201310405053.7 | 申請日: | 2013-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN103681715A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | V.奧加涅相 | 申請(專利權)人: | 奧普蒂茲公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 方世棟;劉春元 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 輪廓 圖像傳感器 封裝 方法 | ||
1.一種圖像傳感器封裝,包括:
印刷電路板,包括:
????第一基底,其具有相反的第一和第二表面,
????孔,其在所述第一和第二表面之間延伸通過所述第一基底,
????一個或多個電路層,
????多個第一接觸焊盤,其被電耦合到所述一個或多個電路層;
傳感器芯片,其被安裝到所述印刷電路板并且至少部分地被布置在所述孔中,其中所述傳感器芯片包括:
????第二基底,其具有相反的第一和第二表面,
????多個光電檢測器,其被形成在所述第二基底上或所述第二基底中,以及
????多個第二接觸焊盤,所述多個第二接觸焊盤被形成在所述第二基底的所述第一表面處,其被電耦合到所述光電檢測器;
電連接器,所述電連接器中的每個電連接所述第一接觸焊盤中的一個和所述第二接觸焊盤中的一個;以及
透鏡模塊,其被安裝到所述印刷電路板上,其中所述透鏡模塊包括被布置用于將光聚焦到所述光電檢測器上的一個或多個透鏡。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中,所述印刷電路板包括在所述孔中橫向延伸的肩部。
3.根據權利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中,所述傳感器芯片經由粘合劑而被安裝到所述肩部上,并且其中所述多個光電檢測器被定向為接收通過所述開口的光。
4.根據權利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中,所述透鏡模塊被安裝到所述第一基底的所述第二表面上,并且被布置在所述開口之上。
5.根據權利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中,所述多個第一接觸焊盤被布置在所述第一基底的所述第一表面處。
6.根據權利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中,所述傳感器芯片進一步包括:
第三基底,其被附接到所述第二基底的所述第一表面上;
多個開口,所述多個開口中的每個延伸通過所述第三基底并且暴露所述第二接觸焊盤中的一個;
多個導電跡線,所述多個導電跡線中的每個從所述第二接觸焊盤中的一個延伸并且通過所述多個開口中的一個;
其中所述電連接器中的每個是在所述多個導電跡線中的一個和所述第一接觸焊盤中的一個之間連接的引線。
7.根據權利要求3所述的圖像傳感器封裝,進一步包括:
光學透明基底,其被安裝到所述第二基底第二表面上并且與所述第二基底第二表面相間隔,其中所述粘合劑被直接布置在所述光學透明基底和所述肩部之間。
8.根據權利要求3所述的圖像傳感器封裝,其中,所述粘合劑被直接布置在所述第二基底第二表面和所述肩部之間。
9.根據權利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中:
所述多個第一接觸焊盤被布置在所述第一基底的所述肩部處;
所述電連接器是球柵陣列(BGA)或焊盤柵格陣列電連接器;
所述傳感器芯片經由所述電連接器被安裝到所述印刷電路板上。
10.根據權利要求2所述的圖像傳感器封裝,其中,所述傳感器芯片進一步包括:
第三基底,其被附接到所述第二基底的所述第一表面上;
多個開口,所述多個開口中的每個延伸通過所述第三基底并且暴露所述第二接觸焊盤中的一個;
多個導電跡線,所述多個導電跡線中的每個從所述第二接觸焊盤中的一個延伸并且通過所述多個開口中的一個;
其中所述電連接器中的每個是在所述多個導電跡線中的一個與所述第一接觸焊盤中的一個之間連接的球柵陣列(BGA)或焊盤柵格陣列電連接器。
11.根據權利要求9所述的圖像傳感器封裝,進一步包括:
光學透明基底,其被安裝到所述傳感器芯片第二表面上并且與所述傳感器芯片第二表面相間隔。
12.根據權利要求1所述的圖像傳感器封裝,其中,所述傳感器芯片進一步包括:
溝槽,其被形成至所述第二基底的所述第一表面中,
多個導電跡線,所述多個導電跡線中的每個從所述第二接觸焊盤中的一個延伸并且進入到所述溝槽中;
其中所述電連接器是球柵陣列(BGA)或焊盤柵格陣列電連接器,其各自將所述第一接觸焊盤中的一個電連接到所述多個導電跡線中的一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





