[發明專利]一種提高消弧線圈響應時間的二次阻尼方法

無效

• 申請號: 201310404917.3
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN103532125A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 張克貴;吳善兵
• 申請（專利權）人: 合肥天海電氣技術有限公司
• 主分類號: H02H9/08
• 分類號: H02H9/08
• 代理公司: 安徽合肥華信知識產權代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種提高消弧線圈響應時間的二次阻尼方法，其特征在于，將一個阻尼電阻放消弧線圈二次側，通過中心點電壓自觸發和MCU控制器觸發阻尼電阻短接裝置，快速提供補償電流，同時有效抑制系統諧振過電壓；具體包括以下步驟：

（1）在消弧線圈本體上增加一個二次繞組；

（2）把阻尼電阻接在消弧線圈的二次繞組上，并把可控硅串接在該回路中，構成可控硅控制回路；

（3）從中性點的CT上抽取一個電壓信號作為可控硅自觸發信號，從MCU控制器引入一個觸發信號也接到可控硅的觸發引腳上；

（4）在系統正常運行條件下，可控硅導通，阻尼電阻投入運行，為系統提供阻尼，從而抑制中性點電壓在15%相電壓以下；當系統發生接地時，系統中性點電壓升高超出了設定值，MCU控制器實時監測中性點電流直流分量的大小，延時給出觸發信號，觸發可控硅短接阻尼電阻，以加速暫態電流的衰減過程，快速提供補償電流；同時若控制器出現故障，當中性點電壓升高到某一特定值，自觸發回路開始工作，短接阻尼電阻，為系統提供補償電流。

2.根據權利要求1所述的一種提高消弧線圈響應時間的二次阻尼方法，其特征在于，所述的可控硅觸發控制回路包括有為系統提供阻尼作用的阻尼電阻R，雙向可控硅SCR1、SCR2，二極管D1、D2，電容C1、C2、C3、C4，繞線電阻R1、R2，壓敏電阻RV1、RV2，電壓繼電器DYJ，中間繼電器ZJJ，消弧線圈二次繞組L；雙向可控硅SCR1、電容C3、二極管D1組成的并聯支路與雙向可控硅SCR2、電容C4、二極管D2組成的并聯支路并聯，電壓繼電器DYJ與中間繼電器ZJJ并聯后接在可控硅SCR1、SCR2的控制端，繞線電阻R1與電容C1串聯后并接與可控硅SCR1的兩端,?繞線電阻R2與電容C2串聯后并接與可控硅SCR2的兩端，RV1并接在SCR1的兩端，RV2并接在SCR2的兩端。

3.根據權利要求1或2所述的一種提高消弧線圈響應時間的二次阻尼方法，其特征在于：在系統正常運行時，電壓繼電器DYJ閉合，中間繼電器ZJJ斷開，雙向可控硅SCR1、SCR2導通，阻尼電阻R投入運行；當系統發生接地時，MCU控制器輸出觸發信號，觸發電壓繼電器DYJ斷開，雙向可控硅SCR1、SCR2斷開，阻尼電阻R退出運行；若系統發生接地，MCU控制器發生故障，中性點電壓升高到某一定值時，電壓繼電器DYJ斷開，雙向可控硅斷開，阻尼電阻R退出運行；當接地消失后，MCU控制器輸出觸發信號，使中間繼電器ZJJ斷開，雙向可控硅SCR1、SCR2導通，電壓繼電器DYJ閉合，阻尼電阻R投入運行。