[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高消弧線圈響應(yīng)時(shí)間的二次阻尼方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310404917.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103532125A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張克貴;吳善兵
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 合肥天海電氣技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H02H9/08
• 分類(lèi)號(hào): H02H9/08
• 代理公司: 安徽合肥華信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34112
• 代理人: 余成俊

1.一種提高消弧線圈響應(yīng)時(shí)間的二次阻尼方法，其特征在于，將一個(gè)阻尼電阻放消弧線圈二次側(cè)，通過(guò)中心點(diǎn)電壓自觸發(fā)和MCU控制器觸發(fā)阻尼電阻短接裝置，快速提供補(bǔ)償電流，同時(shí)有效抑制系統(tǒng)諧振過(guò)電壓；具體包括以下步驟：

（1）在消弧線圈本體上增加一個(gè)二次繞組；

（2）把阻尼電阻接在消弧線圈的二次繞組上，并把可控硅串接在該回路中，構(gòu)成可控硅控制回路；

（3）從中性點(diǎn)的CT上抽取一個(gè)電壓信號(hào)作為可控硅自觸發(fā)信號(hào)，從MCU控制器引入一個(gè)觸發(fā)信號(hào)也接到可控硅的觸發(fā)引腳上；

（4）在系統(tǒng)正常運(yùn)行條件下，可控硅導(dǎo)通，阻尼電阻投入運(yùn)行，為系統(tǒng)提供阻尼，從而抑制中性點(diǎn)電壓在15%相電壓以下；當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生接地時(shí)，系統(tǒng)中性點(diǎn)電壓升高超出了設(shè)定值，MCU控制器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)中性點(diǎn)電流直流分量的大小，延時(shí)給出觸發(fā)信號(hào)，觸發(fā)可控硅短接阻尼電阻，以加速暫態(tài)電流的衰減過(guò)程，快速提供補(bǔ)償電流；同時(shí)若控制器出現(xiàn)故障，當(dāng)中性點(diǎn)電壓升高到某一特定值，自觸發(fā)回路開(kāi)始工作，短接阻尼電阻，為系統(tǒng)提供補(bǔ)償電流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高消弧線圈響應(yīng)時(shí)間的二次阻尼方法，其特征在于，所述的可控硅觸發(fā)控制回路包括有為系統(tǒng)提供阻尼作用的阻尼電阻R，雙向可控硅SCR1、SCR2，二極管D1、D2，電容C1、C2、C3、C4，繞線電阻R1、R2，壓敏電阻RV1、RV2，電壓繼電器DYJ，中間繼電器ZJJ，消弧線圈二次繞組L；雙向可控硅SCR1、電容C3、二極管D1組成的并聯(lián)支路與雙向可控硅SCR2、電容C4、二極管D2組成的并聯(lián)支路并聯(lián)，電壓繼電器DYJ與中間繼電器ZJJ并聯(lián)后接在可控硅SCR1、SCR2的控制端，繞線電阻R1與電容C1串聯(lián)后并接與可控硅SCR1的兩端,?繞線電阻R2與電容C2串聯(lián)后并接與可控硅SCR2的兩端，RV1并接在SCR1的兩端，RV2并接在SCR2的兩端。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種提高消弧線圈響應(yīng)時(shí)間的二次阻尼方法，其特征在于：在系統(tǒng)正常運(yùn)行時(shí)，電壓繼電器DYJ閉合，中間繼電器ZJJ斷開(kāi)，雙向可控硅SCR1、SCR2導(dǎo)通，阻尼電阻R投入運(yùn)行；當(dāng)系統(tǒng)發(fā)生接地時(shí)，MCU控制器輸出觸發(fā)信號(hào)，觸發(fā)電壓繼電器DYJ斷開(kāi)，雙向可控硅SCR1、SCR2斷開(kāi)，阻尼電阻R退出運(yùn)行；若系統(tǒng)發(fā)生接地，MCU控制器發(fā)生故障，中性點(diǎn)電壓升高到某一定值時(shí)，電壓繼電器DYJ斷開(kāi)，雙向可控硅斷開(kāi)，阻尼電阻R退出運(yùn)行；當(dāng)接地消失后，MCU控制器輸出觸發(fā)信號(hào)，使中間繼電器ZJJ斷開(kāi)，雙向可控硅SCR1、SCR2導(dǎo)通，電壓繼電器DYJ閉合，阻尼電阻R投入運(yùn)行。