[發明專利]攝像裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201310404801.X
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103681714B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 富松孝宏;神野健;川村武志
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉

1.一種攝像裝置，其特征在于，具有：

具有主表面的半導體襯底；

光電轉換部，其形成于所述半導體襯底的預定區域并將射入的光轉換成電荷；

傳輸用晶體管的柵極電極，其形成于所述半導體襯底的表面上并傳輸在所述光電轉換部產生的電荷；

側壁絕緣膜，其覆蓋所述柵極電極的側壁面，并且包括從覆蓋所述側壁面的部分延伸并覆蓋所述光電轉換部的表面的部分；

層間絕緣膜，其以覆蓋所述側壁絕緣膜的方式形成；以及

波導，其以貫穿所述層間絕緣膜并到達所述側壁絕緣膜的方式形成，并且將光導向所述光電轉換部，

所述側壁絕緣膜具有：

氧化硅膜；以及

以接觸所述氧化硅膜的表面的方式形成的氮化硅膜；

所述氧化硅膜和所述氮化硅膜具有相同圖形地層疊，

所述側壁絕緣膜以連續地覆蓋所述柵極電極的所述側壁面、所述光電轉換部的所述表面、以及規定像素區域和外圍電路區域的元件隔離絕緣膜的方式形成。

2.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

其中，所述波導以貫穿所述層間絕緣膜及所述氮化硅膜并到達所述氧化硅膜的方式形成。

3.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

所述波導以貫穿所述層間絕緣膜并到達所述氮化硅膜的方式形成。

4.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

所述波導包括：

保護膜，所述保護膜覆蓋貫穿所述層間絕緣膜的開口部的表面；以及

埋入部件，所述埋入部件填埋于由所述保護膜覆蓋的所述開口部。

5.根據權利要求4所述的攝像裝置，其特征在于，

所述保護膜為氮化硅膜，所述埋入部件為涂敷類的材料。

6.根據權利要求1所述的攝像裝置，其特征在于，

所述波導包括填埋于貫穿所述層間絕緣膜的開口部的預定的膜。

7.根據權利要求6所述的攝像裝置，其特征在于，

所述預定的膜是氮化硅膜。

8.一種攝像裝置的制造方法，其特征在于，包括：

形成柵極電極的工序，即在具有主表面的半導體襯底的表面上形成傳輸電荷的傳輸用晶體管的柵極電極；

形成光電轉換部的工序，即在夾著所述柵極電極而定位的所述半導體襯底的一側區域，通過注入預定導電型的雜質，形成將射入的光轉換成電荷的光電轉換部；

形成側壁絕緣膜的工序，即以覆蓋所述柵極電極及所述光電轉換部的方式形成預定的絕緣膜，并通過對所述預定的絕緣膜進行加工，形成側壁絕緣膜，所述側壁絕緣膜覆蓋所述柵極電極的側壁面，并且包括從覆蓋所述側壁面的部分開始延伸并覆蓋所述光電轉換部的表面的部分；

以覆蓋所述側壁絕緣膜的方式形成層間絕緣膜的工序；

在所述層間絕緣膜形成到達所述側壁絕緣膜的開口部的工序；以及

形成波導的工序，即以填埋所述開口部的方式形成將光導向所述光電轉換部的波導的工序，

形成所述側壁絕緣膜的工序包括為了形成所述預定的絕緣膜而進行的以下工序：

形成氧化硅膜的工序；以及

以接觸所述氧化硅膜的表面的方式形成氮化硅膜的工序，

在形成所述側壁絕緣膜的工序中，所述側壁絕緣膜以連續地覆蓋所述柵極電極的所述側壁面、所述光電轉換部的所述表面、以及規定像素區域和外圍電路區域的元件隔離絕緣膜的的方式形成。

9.根據權利要求8所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，

其中，在形成所述開口部的工序中，以貫穿所述層間絕緣膜并使所述氮化硅膜露出的方式形成所述開口部，

在形成所述波導的工序中，以到達所述氮化硅膜的方式形成所述波導。