[發明專利]一次性可編程存儲單元

有效

• 申請號: 201310404318.1
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103680633A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 喬納森·斯密特;羅伊·米爾頓·卡爾森;陸勇;歐文·海因斯
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: G11C17/16
• 分類號: G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種可編程存儲單元，包括：

基板，包括原生摻雜注入區；

厚氧化物隔離件晶體管，設置在所述原生摻雜注入區內的所述基板上；

可編程薄氧化物抗熔絲，設置在與所述厚氧化物隔離件晶體管的第一側相鄰的所述基板上并位于所述基板的所述原生摻雜注入區內；以及

第一厚氧化物存取晶體管和第二厚氧化物存取晶體管，設置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶體管設置在所述厚氧化物隔離件晶體管的第二側與所述第二厚氧化物存取晶體管之間。

2.根據權利要求1所述的可編程存儲單元，其中，所述第一厚氧化物晶體管和所述第二厚氧化物晶體管設置在所述原生摻雜注入區外的所述基板上。

3.根據權利要求2所述的可編程存儲單元，其中，所述第一厚氧化物晶體管和所述第二厚氧化物晶體管設置在所述基板的已受過標準閾值電壓注入處理的區域上。

4.根據權利要求1所述的可編程存儲單元，其中，所述基板的除所述原生摻雜注入區之外的區域已受過標準閾值電壓注入處理。

5.根據權利要求1所述的可編程存儲單元，其中，所述第一厚氧化物存取晶體管的漏極區用作所述厚氧化物隔離件晶體管的源極區。

6.根據權利要求5所述的可編程存儲單元，其中，所述第一厚氧化物存取晶體管的源極區用作所述第二厚氧化物存取晶體管的漏極區。

7.根據權利要求5所述的可編程存儲單元，其中，所述原生摻雜注入區的邊緣形成在所述第一厚氧化物存取晶體管的漏極區中。

8.根據權利要求1所述的可編程存儲單元，其中，所述厚氧化物隔離件晶體管的柵極和所述抗熔絲并聯耦接至第一輸入端。

9.一種可編程存儲單元，包括：

可編程薄氧化物抗熔絲，具有第一端和第二端；

厚氧化物隔離件晶體管，連接至所述可編程薄氧化物抗熔絲的所述第一端和所述第二端；

第一厚氧化物存取晶體管，經由第一擴散區連接至所述厚氧化物隔離件晶體管；以及

第二厚氧化物存取晶體管，經由第二擴散區連接至所述第一厚氧化物存取晶體管，

其中，所述可編程薄氧化物抗熔絲和所述厚氧化物隔離件晶體管具有與所述第一厚氧化物存取晶體管和所述第二厚氧化物存取晶體管不同的摻雜濃度。

10.一種可編程存儲單元，包括：

可編程薄氧化物抗熔絲，連接至厚氧化物隔離件晶體管，所述可編程薄氧化物抗熔絲包括具有第一厚度的第一氧化層；

第一厚氧化物存取晶體管，連接至所述厚氧化物隔離件晶體管；以及

第二厚氧化物存取晶體管，連接至所述第一厚氧化物存取晶體管，

其中，所述厚氧化物隔離件晶體管、所述第一厚氧化物存取晶體管和所述第二厚氧化物存取晶體管各自包括具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二氧化層，

其中，所述可編程薄氧化物抗熔絲和所述厚氧化物隔離件晶體管被原生摻雜，并且所述第一厚氧化物存取晶體管和所述第二厚氧化物存取晶體管被摻雜從而具有標準閾值電壓特性。