[發明專利]多層電路板的制作方法

有效

• 申請號: 201310403680.7
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN104427793B
• 公開（公告）日: 2017-06-30
• 發明（設計）人: 黃培彰;余丞博;黃瀚霈
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H05K3/46
• 分類號: H05K3/46
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種多層電路板的制作方法，其特征在于包括：

提供基材，包括貫穿該基材的第一通孔；

以該第一通孔為對位標靶形成第一圖案化線路層于該基材的表面上，該第一圖案化線路層包括環繞該第一通孔的第一同心圓圖案；

形成第一堆疊層于該表面并覆蓋該第一圖案化線路層，該第一堆疊層包括第一介電層以及覆蓋該第一介電層的第一線路層；

形成第一貫孔，該第一貫孔貫穿該第一同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內徑正投影至該第一堆疊層以及該基材的區域；

形成第二堆疊層于該第一堆疊層上，該第二堆疊層包括第二介電層以及覆蓋該第二介電層的第二線路層；以及

形成第二貫孔，該第二貫孔貫穿該第一同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內徑正投影至該第二堆疊層、該第一堆疊層及該基材的區域。

2.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括：

形成該第一貫孔后，以該第一貫孔為對位標靶圖案化該第一線路層；以及

形成該第二貫孔后，以該第二貫孔為對位標靶圖案化該第二線路層。

3.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，還包括：

形成該第一貫孔后，以該第一貫孔為對位標靶形成第一導通孔于該第一堆疊層上；以及

形成該第二貫孔后，以該第二貫孔為對位標靶形成第二導通孔于該第二堆疊層上，該第二導通孔連接對應的第一導通孔。

4.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔以及該第二貫孔的方法包括二氧化碳激光鉆孔。

5.如權利要求4所述的多層電路板的制作方法，還包括：

在形成該第一貫孔之前，形成第一開口于該第一線路層上，該第一開口暴露出該第一同心圓圖案正投影至該第一介電層的區域；以及

在形成該第二貫孔之前，形成第二開口于該第二線路層上，該第二開口暴露出該第一同心圓圖案正投影至該第二介電層的區域。

6.如權利要求4所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔的方法包括由該第一堆疊層的外表面往該基材的方向鉆孔，形成該第二貫孔的方法包括由該第二堆疊層的外表面往該基材的方向鉆孔。

7.如權利要求4所述的多層電路板的制作方法，其中該第一圖案化線路層、該第一線路層以及該第二線路層的材料為銅。

8.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔以及該第二貫孔的方法包括直接激光鉆孔。

9.如權利要求8所述的多層電路板的制作方法，其中形成該第一貫孔的方法包括由該第一堆疊層的外表面往該基材的方向鉆孔，形成該第二貫孔的方法包括由該第二堆疊層的外表面往該基材的方向鉆孔。

10.如權利要求1所述的多層電路板的制作方法，其中該基材還包括貫穿該基材的第二通孔，該第一圖案化線路層還包括環繞該第二通孔的第二同心圓圖案，所述的多層電路板的制作方法還包括：

形成第M堆疊層于該第二堆疊層上方，其包括第M介電層以及覆蓋該第M介電層的第M線路層，其中M為大于2的正整數；

形成第M貫孔，該第M貫孔貫穿該第二同心圓圖案由中心向外第一個同心圓的內徑正投影至該第一至該第M堆疊層以及該基材的區域；

形成第M+1堆疊層于該第M堆疊層上，該第M+1堆疊層包括第M+1介電層以及覆蓋該第M+1介電層的第M+1線路層；以及

形成第M+1貫孔，該第M+1貫孔貫穿該第二同心圓圖案由中心向外第二個同心圓的內徑正投影至該第一至該第M+1堆疊層及該基材的區域。

11.如權利要求10所述的多層電路板的制作方法，還包括：

形成該第M貫孔后，以該第M貫孔為對位標靶圖案化該第M線路層以形成第M+1圖案化線路層；以及

形成該第M+1貫孔后，以該第M+1貫孔為對位標靶圖案化該第M+1線路層以形成第M+2圖案化線路層。

12.如權利要求10所述的多層電路板的制作方法，還包括：

形成該第M貫孔后，以該第M貫孔為對位標靶各形成第M導通孔于該第M堆疊層上；以及

形成該第M+1貫孔后，以該第M+1貫孔為對位標靶形成第M+1導通孔于該第M+1堆疊層上，該第M+1導通孔連接該第M導通孔。