[發(fā)明專利]漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法

有效

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• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103500772A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設計）人: 薛小興;劉強;楊斌;盧君
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇愛多光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 江陰大田知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 32247
• 代理人: 楊新勇

1.一種漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述工藝方法包括如下步驟：

（a）清洗制絨：將多晶硅片置于硝酸或鉻酸和氫氟酸的混合溶液中，所述硝酸或鉻酸和氫氟酸的體積比在1:2-5:1之間；

（b）擴散制備PN結(jié)：將硅片置于三氯氧磷氣氛中進行擴散，擴散溫度設置在700℃-900℃之間；

（c）印刷腐蝕漿料：通過絲網(wǎng)印刷工藝將腐蝕漿料均勻覆蓋于硅片背面；

（d）加熱：將背面印刷好腐蝕漿料的硅片進行加熱反應，對背面進行拋光，加熱溫度為150℃-300℃；

（e）清洗：洗去所述腐蝕漿料殘余，去除正面磷硅玻璃；

（f）采用PECVD技術(shù)在正面沉積氮化硅薄膜；

（g）采用絲網(wǎng)印刷然后共燒形成合金的方式，在正面形成銀電極，背面形成鋁背場。

2.如權(quán)利要求1所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（a）中硝酸或鉻酸和氫氟酸的體積比在1:1-4:1之間，反應時間在50-250s之間。

3.如權(quán)利要求2所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（b）中，攜帶三氯氧磷的氮氣流量在500-2500ml/min，通氣時間在10-30分鐘。

4.如權(quán)利要求3所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，經(jīng)過所述步驟（b）擴散后的硅片方塊電阻在60-100Ω/□。

5.如權(quán)利要求4所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，步驟（c）中，腐蝕漿料含有氫氧化鈉或氫氧化鉀，所述氫氧化鈉或氫氧化鉀的質(zhì)量分數(shù)為5%-20%。

6.如權(quán)利要求5所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，步驟（d）中，加熱溫度設置為200℃-250℃之間。

7.如權(quán)利要求1所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，在所述步驟（e）中，首先將背面拋光后的硅片浸泡在去離子水中1-5min。

8.如權(quán)利要求7所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，在所述步驟（e）中，采用氫氟酸水溶液去除磷硅玻璃，所述氫氟酸的濃度為5%-20%。

9.如權(quán)利要求8所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（e）中，去除磷硅玻璃的時長為2-10分鐘。

10.如權(quán)利要求9所述的漿料腐蝕法制備背面拋光多晶硅太陽電池的工藝方法，其特征在于，所述步驟（f）中，沉積溫度設置為400-500℃，沉積時間為20-40min。