[發(fā)明專利]一種窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310403566.4
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103474873A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 祁瓊;熊聰;劉素平;馬驍宇
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路包括脈沖控制電路、驅(qū)動電路、高壓端、低壓端、TTL信號端和接地端，其中，脈沖控制電路同時連接于驅(qū)動電路、低壓端、TTL信號端和接地端，驅(qū)動電路同時連接于高壓端、脈沖控制電路和接地端。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述脈沖控制電路包含第一電阻(R1)、第一電容(C1)、第二電阻(R2)、第一二極管(PD1)和第一開關(guān)管(MOSFET-1)，其中：

第一電阻(R1)一端與TTL信號端連接，另一端與第一電容(C1)的一端連接；第一電容(C1)的另一端同時連接于第二電阻(R2)、第一二極管(PD1)和第一開關(guān)管(MOSFET-1)；

第二電阻(R2)另一端分別與接地端和第一二極管(PD1)另一端并接；

第一開關(guān)管(MOSFET-1)一端與低壓端連接，一端與接地端連接，另一端與第二開關(guān)管(MOSFET-2)一端連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(MOSFET-1)為高速場效應(yīng)晶體管，通過TTL信號端和第一二極管(PD1)來控制該第一開關(guān)管(MOSFET-1)的導(dǎo)通和關(guān)斷；通過調(diào)節(jié)第一電阻(R1)、第二電阻(R2)和第一電容(C1)來控制該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路內(nèi)部的電脈沖寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述低壓端給第一開關(guān)管(MOSFET-1)供電，電壓值控制在12—15V；TTL信號端為電壓值3.3—5V、50％占空比的TTL脈沖信號；該半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路的頻率為1Hz-50KHz，由TTL信號端控制。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括第二開關(guān)管(MOSFET-2)、第三電阻(R3)、第二電容(C2)、第二二極管(PD2)、激光器、第四電阻(R4)和第三電容(C3)，其中：

第二開關(guān)管(MOSFET-2)的一端同時連接于第三電阻(R3)和第二電容(C2)，另一端分別同時連接于接地端、第二二極管(PD2)、激光器和第三電容(C3)；第三電阻(R3)另一端與高壓端連接；第二電容(C2)另一端同時連接于第二二極管(PD2)、激光器和第四電阻(R4)；第四電阻(R4)的另一端與第三電容(C3)的另一端連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管(MOSFET-2)為高速場效應(yīng)晶體管，由脈沖控制電路提供的電脈沖信號控制該第二開關(guān)管(MOSFET-2)的開關(guān)；由高壓端通過保護第三電阻(R3)給儲能第二電容(C2)充電；通過儲能第二電容(C2)放電給激光器加電產(chǎn)生光信號；儲能第二電容(C2)的充放電時間由第二開關(guān)管(MOSFET-2)控制；第二二極管(PD2)為反向二極管，對激光器進行保護；第四電阻(R4)和第三電容(C3)用以吸收脈沖信號下降沿后的信號振蕩，獲得更好的脈沖波形。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述高壓端給激光器供電，其電壓值與儲能第二電容(C2)和第二開關(guān)管(MOSFET-2)的耐壓值相匹配。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的窄脈寬的大功率半導(dǎo)體激光器驅(qū)動電路，其特征在于，所述電壓值為1-200V。