[發(fā)明專(zhuān)利]一種稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310403536.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104425712B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-06-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙鴻濱;屠海令;魏峰;杜軍
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京有色金屬研究總院
• 主分類(lèi)號(hào): H01L45/00
• 分類(lèi)號(hào): H01L45/00;G11C13/00
• 代理公司: 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11100
• 代理人: 劉秀青;熊?chē)?guó)裕

1.一種稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器，包括底電極、頂電極以及位于底電極和頂電極之間的阻變存儲(chǔ)層材料，其特征在于：所述阻變存儲(chǔ)層材料由一層稀土氧化物薄膜構(gòu)成，在可見(jiàn)光區(qū)具有接近100％的透過(guò)率；所述底電極材料為氧化銦錫或石墨烯，所述頂電極材料為石墨烯；或者所述底電極材料為石墨烯，所述頂電極材料為氧化銦錫；所述稀土氧化物為Gd₂O₃、La₂O₃、Dy₂O₃或Lu₂O₃。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：當(dāng)電極材料為氧化銦錫時(shí)，構(gòu)成電極的氧化銦錫薄膜的厚度為100~300 nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器，其特征在于：所述稀土氧化物薄膜的厚度為30~200 nm。

4.權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）透明襯底的清洗；

（2）在透明襯底上制作底電極；

（3）利用物理氣相沉積技術(shù)在底電極上沉積稀土氧化物薄膜；

（4）利用光學(xué)曝光技術(shù)形成頂電極圖形，制作頂電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：當(dāng)?shù)纂姌O材料選擇氧化銦錫時(shí)，利用物理氣相沉積技術(shù)在透明襯底上沉積氧化銦錫底電極，厚度為100~300 nm；當(dāng)?shù)纂姌O材料選擇石墨烯時(shí)，利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在銅箔上面生長(zhǎng)石墨烯，然后轉(zhuǎn)移到透明襯底上形成底電極，石墨烯底電極由1~10層單層石墨烯疊加而成。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：當(dāng)頂電極材料選擇氧化銦錫時(shí)，利用光學(xué)曝光技術(shù)在稀土氧化物薄膜上做出頂電極圖形，然后利用物理氣相沉積技術(shù)沉積氧化銦錫頂電極，厚度為100~300nm；當(dāng)頂電極材料選擇石墨烯時(shí)，利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在銅箔上面生長(zhǎng)石墨烯，然后將石墨烯轉(zhuǎn)移到稀土氧化物薄膜上，利用光學(xué)曝光技術(shù)做出頂電極圖形，再用氧氣刻蝕掉無(wú)光刻膠覆蓋的石墨烯，去膠得到石墨烯頂電極，石墨烯頂電極由1~10層單層石墨烯疊加而成。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的稀土氧化物作為存儲(chǔ)層的全透明阻變存儲(chǔ)器的制作方法，其特征在于：所述的透明襯底為石英玻璃。