[發明專利]程序化非揮發性內存裝置的方法有效
| 申請號： | 201310403394.0 | 申請日： | 2007-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN103474091A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發明（設計）人： | K-T·常;T·瑟蓋特 | 申請（專利權）人： | 斯班遜有限公司 |
| 主分類號： | G11C7/10 | 分類號： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人： | 程偉;王錦陽 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 程序化 揮發性 內存 裝置 方法 | ||
1.一種程序化非揮發性內存裝置的方法，該非揮發性內存裝置具有設置于虛擬接地架構中的單元陣列，各單元包含對應于該陣列中的字符線的柵極、形成于半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的源極/漏極、以及形成于該半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的漏極/源極，該方法包括下列步驟：
選擇該陣列中的目標單元以用于程序化；
施加程序化電壓至對應于該目標單元的該字符線；
施加漏極偏壓至對應于該目標單元的該漏極的第一可選擇位線；
將對應于該目標單元的該源極的第二可選擇位線接地；
調整負襯底偏壓以響應該目標單元的寫入周期以及響應該非揮發性內存裝置的年限；以及
在該目標單元的該半導體襯底處用該負襯底偏壓控制位線漏電流，
其中，該各單元的位線具有N型導電性，且該半導體襯底具有P型導電性。
2.一種程序化非揮發性內存裝置的方法，該非揮發性內存裝置具有設置于虛擬接地架構中的單元陣列，各單元包含對應于該陣列中的字符線的柵極、形成于半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的源極/漏極、以及形成于該半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的漏極/源極，該方法包括下列步驟：
選擇該陣列中的目標單元以用于程序化；
施加程序化電壓至對應于該目標單元的該字符線；
施加漏極偏壓至對應于該目標單元的該漏極的第一可選擇位線；
將對應于該目標單元的該源極的第二可選擇位線接地；
調整負襯底偏壓以響應該目標單元的寫入周期以及響應該非揮發性內存裝置的年限；以及
在該目標單元的該半導體襯底處用該負襯底偏壓控制位線漏電流，
其中，施加該負襯底偏壓至該半導體襯底減少來自該第二可選擇位線至該半導體襯底的位線漏電流。
3.一種程序化非揮發性內存裝置的方法，該非揮發性內存裝置具有設置于虛擬接地架構中的單元陣列，各單元包含對應于該陣列中的字符線的柵極、形成于半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的源極/漏極、以及形成于該半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的漏極/源極，該方法包括下列步驟：
選擇該陣列中的目標單元以用于程序化；
施加程序化電壓至對應于該目標單元的該字符線；
施加漏極偏壓至對應于該目標單元的該漏極的第一可選擇位線；
將對應于該目標單元的該源極的第二可選擇位線接地；
調整負襯底偏壓以響應該目標單元的寫入周期以及響應該非揮發性內存裝置的年限；
在該目標單元的該半導體襯底處用該負襯底偏壓控制位線漏電流；以及
用該負襯底偏壓減少相對于該目標單元共享該字符線的鄰接單元中的程序干擾的影響，
其中，減少程序干擾的影響包括延伸該半導體襯底內的空乏區，以減少在該第一可選擇位線下方的電子擴散。
4.一種程序化非揮發性內存裝置的方法，該非揮發性內存裝置具有設置于虛擬接地架構中的單元陣列，各單元包含對應于該陣列中的字符線的柵極、形成于半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的源極/漏極、以及形成于該半導體襯底中并對應于該陣列中的位線的可選擇的漏極/源極，該方法包括下列步驟：
選擇該陣列中的目標單元以用于程序化；
施加程序化電壓至對應于該目標單元的該字符線；
施加漏極偏壓至對應于該目標單元的該漏極的第一可選擇位線；
將對應于該目標單元的該源極的第二可選擇位線接地；
調整負襯底偏壓以響應該目標單元的寫入周期以及響應該非揮發性內存裝置的年限；以及
在該目標單元的該半導體襯底處用該負襯底偏壓控制位線漏電流，
其中，該程序化電壓為7.0伏特至10.0伏特之間，該漏極偏壓為2.5伏特至5.0伏特之間以及該負襯底偏壓為-0.5伏特至-5.0伏特之間。
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