[發明專利]有機發光二極管顯示器及其制造方法

有效

• 申請號: 201310403355.0
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103887440A
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 琴都映;李俊昊;申榮訓
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種有機發光二極管顯示器，包括：

基板；

在基板上方的氧化物半導體層；

在氧化物半導體層上方的平坦化層；

在平坦化層上方的發光二極管；

在發光二極管上方的鈍化層；和

在平坦化層和鈍化層之間的氫阻擋層，用以阻擋氫自鈍化層擴散至氧化物半導體層。

2.如權利要求1所述的顯示器，還包括：

在基板上的柵極線、數據線和電源線，柵極線和數據線彼此交叉以限定像素區；和

在像素區中的薄膜晶體管，

其中所述薄膜晶體管包括氧化物半導體材料的氧化物半導體層，和

其中所述氫阻擋層的面積大于所述氧化物半導體層的面積。

3.如權利要求2所述的顯示器，其中所述氧化物半導體層包括氧化銦鎵鋅（IGZO）、氧化鋅銦（ZIO）、氧化鋅鎵（ZGO）和氧化鋅錫（ZTO）中的一種，和

其中所述鈍化層是氮化硅（SiNx）層、氮氧化硅（SiON）層和氧化硅（SiOx）層中的一種。

4.如權利要求1所述的顯示器，其中所述氫阻擋層包括氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、鉬（Mo）、鉬鈦合金（MoTi）、銅（Cu）、銀（Ag）、金（Au）、Ti、鋯（Zr）、釷（Th）、釩（V）、鈀（Pd）、鎳（Ni）和錫（Sn）中的一種。

5.如權利要求1所述的顯示器，還包括：

在氧化物半導體層和平坦化層之間的另一鈍化層；和

在基板上的柵極線、數據線和電源線，柵極線和數據線彼此交叉以限定像素區，

其中所述發光二極管包括位于另一鈍化層上且位于像素區中的第一電極、位于第一電極上的發光層和位于發光層上的第二電極，和

其中所述氫阻擋層與第一電極形成在相同層上。

6.如權利要求5所述的顯示器，其中所述氫阻擋層由與第一電極相同的材料形成。

7.如權利要求1所述的顯示器，其中所述氫阻擋層設置在鈍化層和發光二極管之間。

8.如權利要求1所述的顯示器，還包括：

在基板上的柵極線、數據線和電源線，柵極線和數據線彼此交叉以限定像素區；和

在氧化物半導體層和平坦化層之間的另一鈍化層；

其中所述發光二極管包括位于另一鈍化層上且位于像素區中的第一電極、位于第一電極上的發光層和位于發光層上的第二電極，和

其中所述氫阻擋層設置在第二電極上。

9.一種顯示面板，包括：

根據權利要求1所述的有機發光二極管顯示器；和

顯示區，包括所述顯示器的鈍化層，

其中所述顯示器的氫阻擋層位于鈍化層下方且包圍顯示區。

10.如權利要求9所述的顯示面板，其中所述氫阻擋層的第一表面接觸鈍化層，所述氫阻擋層的第二表面接觸平坦化層；和

其中所述第二表面大于第一表面。

11.一種制造有機發光二極管顯示器的方法，所述方法包括：

形成基板；

在基板上方形成氧化物半導體層；

在氧化物半導體層上方形成平坦化層；

在平坦化層上方形成發光二極管；

在發光二極管上方形成鈍化層；和

在平坦化層和鈍化層之間形成氫阻擋層以阻擋氫自鈍化層擴散向氧化物半導體層。

12.如權利要求11所述的方法，還包括：

在基板上形成柵極線、數據線和電源線，所述柵極線和數據線彼此交叉以限定像素區；和

在像素區中形成薄膜晶體管，

其中所述薄膜晶體管包括氧化物半導體材料的氧化物半導體層，和

其中所述氫阻擋層的面積大于所述氧化物半導體層的面積。

13.如權利要求12所述的方法，其中所述氧化物半導體層包括氧化銦鎵鋅（IGZO）、氧化鋅銦（ZIO）、氧化鋅鎵（ZGO）和氧化鋅錫（ZTO）中的一種，和

其中所述鈍化層是氮化硅（SiNx）層、氮氧化硅（SiON）層和氧化硅（SiOx）層中的一種。