[發明專利]一種電子芯片的交直流高壓防護裝置及其實現方法

在審

• 申請號: 201310401992.4
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN103500988A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 王齊亞;管泓;李輝濤;周游
• 申請（專利權）人: 深圳大成創安達電子科技發展有限公司
• 主分類號: H02H7/20
• 分類號: H02H7/20;H02H3/20
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

技術領域

本發明涉及勘探專用電子芯片印刷電路板的技術領域，更具體地，涉及一種勘探專用電子芯片的印交直流高壓防護裝置及其實現方法。?

背景技術

為防止恐怖分子在電子雷管上施加高壓引爆電子雷管，造成極大的社會危害，電子雷管都有耐高電壓的要求，比如給電子雷管施加直流50V、100V或交流220V、380V甚至更高的電壓要求不爆。針對放置在電子雷管內的勘探專用電子芯片而言，更要具備耐高壓的能力。勘探專用電子芯片印刷電路板（PCB）上的芯片工作電壓一般都是3V~5V，輸入端電壓也一般是12V~24V，所以對勘探專用電子芯片印刷電路板（PCB）上的電路就必須進行高壓防護。由于勘探專用電子芯片印刷電路板（PCB）長度為41.3mm±0.5mm，直徑為5.9mm±0.2mm，所以進行高壓防護器件必須是小體積的。

目前對勘探專用電子芯片施加直流100V、交流220V、交流380V甚至更高電壓時勘探專用電子芯片會發生爆炸，從而引爆雷管，這會導致不法分子有機可趁。并且一般能耐高壓的過流器件成本高、體積大，不易貼裝到PCB板上。

有鑒于此，現有技術有待改進和提高。?

發明內容

鑒于現有技術的不足，本發明目的在于提供一種電子芯片的交直流高壓防護裝置及其實現方法。旨在解決現有技術對勘探專用電子芯片施加電流過高時會導致電子芯片發生爆炸的現象。

本發明的技術方案如下：

一種電子芯片的交直流高壓防護裝置，設置在電子芯片的外部電壓輸入端和電壓輸出端之間，其中，所述交直流高壓防護裝置包括：

熔斷絲和一半導體二極管；

所述熔斷絲的直徑范圍為0.009mm~0.05mm、長度范圍為0.2mm~3mm。

所述的電子芯片的交直流高壓防護裝置，其中，所述交直流高壓防護裝置的封裝為3腳或4腳的元器件。

所述的電子芯片的交直流高壓防護裝置，其中，所述半導體二極管是雙向二極管。

所述的電子芯片的交直流高壓防護裝置，其中，當所述交直流高壓防護裝置的封裝為4腳的元器件時，其包括兩個與外部電壓輸入端相連的引腳，兩個與電壓輸出端相連的引腳；

所述熔斷絲的個數為兩個，分別連接一與外部電壓輸入端相連的引腳；所述半導體二極管的兩端分別連接與電壓輸出端相連的兩個引腳。

所述的電子芯片的交直流高壓防護裝置，其中，當所述交直流高壓防護裝置的封裝為3腳的元器件時，其包括一與外部電壓輸入端相連的引腳，一與電壓輸出端相連的引腳和一公共引腳；

所述熔斷絲的的兩端分別連接與外部電壓輸入端相連的引腳和與電壓輸出端相連的引腳，所述半導體二極管的兩端分別連接與電壓輸出端相連的引腳和公共引腳。

一種所述的電子芯片的交直流高壓防護裝置的實現方法，其中，所述方法包括以下步驟：

S1、電子芯片的外部電壓輸入端輸入的電壓通過交直流高壓防護裝置輸入到電子芯片的電壓輸出端上；

S2、當所述外部電壓輸入端輸入的電壓升高超過預定閥值時，半導體二極管導通，令流經熔斷絲的電流增大，導致熔斷絲發熱并熔斷，從而使得電壓輸出端與外部電壓輸入端斷開。

有益效果：

本發明的電子芯片的交直流高壓防護裝置及其實現方法，在勘探專用電子芯片印刷電路板（PCB）上需要保護的電路中設置包含了低熔點合金絲和半導體二極管的保護電路段，當有高壓輸入時低熔點合金絲熔斷但印刷電路板（PCB）不發生爆炸。目的在于降低非法引爆電子雷管的可能性、提高電子雷管使用的安全性，不讓非法分子有機可趁，進一步提高社會穩定性。

附圖說明

圖1為本發明的電子芯片的交直流高壓防護裝置的第一實施例的示意圖。

圖2為本發明的電子芯片的交直流高壓防護裝置的第二實施例的示意圖。

圖3為本發明的電子芯片的交直流高壓防護裝置的實現方法的流程圖。

具體實施方式

本發明提供一種電子芯片的交直流高壓防護裝置及其實現方法，為使本發明的目的、技術方案及效果更加清楚、明確，以下對本發明進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。