[發明專利]互連線的形成方法

有效

• 申請號: 201310401315.2
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN104425363B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: 伏廣才;汪新學;倪梁
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3213
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種互連線的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成導電層；

在所述導電層上形成含Ta擴散阻擋層；

在所述含Ta擴散阻擋層上形成圖形化的光刻膠；

以所述圖形化的光刻膠為掩膜，使用Cl₂和He等離子體刻蝕所述含Ta擴散阻擋層，刻蝕至含Ta擴散阻擋層下表面，形成圖形化的含Ta擴散阻擋層，采用Cl₂和He等離子體刻蝕所述含Ta擴散阻擋層以減少轟擊出的光刻膠與轟擊出的TaN發生反應形成的含Ta聚合物；

以所述圖形化的光刻膠和圖形化的含Ta擴散阻擋層為掩膜，刻蝕所述導電層，形成互連線。

2.如權利要求1所述的互連線的形成方法，其特征在于，所述含Ta擴散阻擋層為Ta層、TaN層中的一層或兩層。

3.如權利要求1所述的互連線的形成方法，其特征在于，刻蝕所述含Ta擴散阻擋層的工藝條件為：

壓強為4-10mTorr，使Cl₂和He等離子體化的功率為400-700W，Cl₂的流速為60-90sccm，He的流速為0.1-90sccm。

4.如權利要求1所述的互連線的形成方法，其特征在于，所述導電層為AlCu層。

5.如權利要求4所述的互連線的形成方法，其特征在于，刻蝕所述導電層的方法為Cl₂、BCl₃和CHF₃的等離子體刻蝕。

6.如權利要求1所述的互連線的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成導電層前，在所述基底上形成粘合層，所述導電層形成在所述粘合層上。

7.如權利要求6所述的互連線的形成方法，其特征在于，所述粘合層為含Ta材料層；或者，

所述粘合層為含Ti材料層。

8.如權利要求7所述的互連線的形成方法，其特征在于，所述含Ta材料層為Ta層、TaN層中的一層或兩層。

9.如權利要求8所述的互連線的形成方法，其特征在于，刻蝕所述粘合層的方法為Cl₂、BCl₃和CHF₃的等離子體刻蝕。

10.如權利要求1所述的互連線的形成方法，其特征在于，刻蝕所述導電層時，刻蝕停止于所述導電層下表面，或者停止于所述基底內。

11.如權利要求1所述的互連線的形成方法，其特征在于，在所述含Ta擴散阻擋層上形成圖形化的光刻膠前，在所述含Ta擴散阻擋層上形成底部抗反射層，所述圖形化的光刻膠形成在所述底部抗反射層上。

12.如權利要求11所述的互連線的形成方法，其特征在于，所述底部抗反射層為SiON層。

13.如權利要求12所述的互連線的形成方法，其特征在于，刻蝕所述底部抗反射層的方法為Cl₂和CHF₃的等離子體刻蝕。

14.如權利要求13所述的互連線的形成方法，其特征在于，Cl₂和CHF₃的體積比為9:1-16:1。