[發(fā)明專利]一種無壓浸滲法制備納米SiC/Cu基復(fù)合材料的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310400413.4 | 申請日: | 2013-09-06 |
| 公開(公告)號: | CN103484705A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阮俊達(dá);陳建軍;陳學(xué)兵;王明明;張炬棟;薛一凡 | 申請(專利權(quán))人: | 紹興曙光機(jī)械有限公司 |
| 主分類號: | C22C1/10 | 分類號: | C22C1/10;C22C9/00;C22C32/00 |
| 代理公司: | 紹興市越興專利事務(wù)所 33220 | 代理人: | 張謙 |
| 地址: | 312065 浙江省紹*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 無壓浸滲 法制 納米 sic cu 復(fù)合材料 方法 | ||
1.一種無壓浸滲法制備納米SiC/Cu基復(fù)合材料的方法,其特征在于包括如下工藝步驟:先將經(jīng)過表面改性處理的納米SiC粉末和鎳粉按比例置于壓力成型機(jī)中模壓成形,得到壓坯預(yù)制件,然后將壓坯預(yù)制件置于石墨坩堝中,將純銅塊置于壓坯預(yù)制件上部,浸滲反應(yīng)在氮?dú)獗Wo(hù)的箱式氣氛爐內(nèi)進(jìn)行,并在1100~1400℃溫度下保溫4~6小時(shí),最后隨著箱式氣氛爐冷卻后得到納米SiC/Cu基復(fù)合材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無壓浸滲法制備納米SiC/Cu基復(fù)合材料的方法,其特征在于:所述的納米SiC粉末的表面改性處理步驟如下:
1)預(yù)處理:將5g納米SiC粉末依次置于200mL?10%氫氟酸溶液、250mL?0.06mol/L?SnCl2·2H2O和25mL/L濃鹽酸的混合溶液、250mL?0.03mol/L?AgNO3溶液中進(jìn)行粗化處理、敏化處理、活化處理各30min,每次處理后用去離子水清洗,置于烘箱中90℃烘干后再進(jìn)行下一步驟;
2)施鍍:取4g經(jīng)過預(yù)處理過的納米SiC粉末置于400mL?25g/L?CuSO4·5H2O、44mL/L?HCHO、45g/L酒石酸鉀鈉和10mg/L亞鐵氰化鉀的混合鍍液中進(jìn)行超聲波化學(xué)鍍銅處理,處理過程中不斷加入20%?NaOH,使鍍液pH保持在11~13內(nèi),鍍液由藍(lán)綠色變成暗紅色,且氣泡停止冒出,反應(yīng)完成,去離子水清洗后置于烘箱中90℃烘干得納米SiC粉末。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種無壓浸滲法制備納米SiC/Cu基復(fù)合材料的方法,其特征在于:所述的經(jīng)過表面改性處理的納米SiC粉末粒徑為10~500nm,鎳粉粒徑為200目。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無壓浸滲法制備納米SiC/Cu基復(fù)合材料的方法,其特征在于:所述的經(jīng)過表面改性處理的納米SiC粉末與鎳粉之間的質(zhì)量比為2:(0.1~0.2);純銅塊與壓坯預(yù)制件之間的質(zhì)量比為100:(3~6)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無壓浸滲法制備納米SiC/Cu基復(fù)合材料的方法,其特征在于:所述的納米SiC/Cu基復(fù)合材料中SiC體積分?jǐn)?shù)為56~64%,Cu體積分?jǐn)?shù)為36~44%。
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