[發(fā)明專利]一種圖像傳感電路及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310400274.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103491320B | 公開(公告)日: | 2017-02-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王晶;榮磊 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京立博信榮科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H04N5/369 | 分類號(hào): | H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11319 | 代理人: | 趙娟 |
| 地址: | 100191 北京市海*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖像 傳感 電路 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子電路技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種圖像傳感電路及方法。
背景技術(shù)
隨著科技的進(jìn)步與發(fā)展,圖像傳感技術(shù)日益成熟,其中與傳感器相連的單元電路,是影響整個(gè)圖像傳感系統(tǒng)性能的重要因素,因此對(duì)于單元電路的設(shè)計(jì)要求越來越嚴(yán)格。首先,電路結(jié)構(gòu)需要盡可能簡單,便于在最大曝光區(qū)的范圍內(nèi),集成更大規(guī)模的圖像陣列;其次,電路的功耗盡可能低,因?yàn)樵诖笠?guī)模圖像芯片中,單元電路的數(shù)量非常大,如果單元電路功耗大,將不利于圖像芯片的大規(guī)模集成;再次,電路的噪聲盡可能小,單元電路的噪聲會(huì)降低信噪比,而且后續(xù)電路也很難消除此噪聲;最后,對(duì)于微弱的光信號(hào),通常會(huì)采用光信號(hào)轉(zhuǎn)換與信號(hào)輸出同時(shí)進(jìn)行的方式,能夠充分利用時(shí)間,效率高,但是單元電路往往設(shè)計(jì)的比較復(fù)雜,造成單元電路面積大,功耗大,成本高。參照?qǐng)D1所示的一種現(xiàn)有技術(shù)的圖像傳感電路,包括直接注入結(jié)構(gòu)(DI)、源極跟隨器(SF)和采樣保持電路(SH),該電路可以實(shí)現(xiàn)單元內(nèi)采樣保持,從而可以支持信號(hào)轉(zhuǎn)換與信號(hào)輸出同時(shí)進(jìn)行的模式(IWR模式)。由于該電路結(jié)構(gòu)引入了源極跟隨器SF,所以單元電路的功耗和面積都會(huì)增大,或者必須在有限的面積內(nèi),壓縮積分電容Cint的大小,不僅降低了單元電路的電荷處理能力,還會(huì)降低信噪比,同時(shí)由于源極跟隨器SF的引入,增加了電路的噪聲。
因此,本領(lǐng)域技術(shù)人員迫切需要解決的問題之一在于,提供一種低功耗的圖像傳感單元電路及方法,用以支持信號(hào)轉(zhuǎn)換與信號(hào)輸出同時(shí)進(jìn)行,簡化電路結(jié)構(gòu),降低電路的功耗,降低制造成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種圖像傳感電路及方法,用以支持信號(hào)的積分與信號(hào)的輸出同時(shí)進(jìn)行,簡化電路結(jié)構(gòu),降低電路的功耗,降低制造成本。
為了解決上述問題,本發(fā)明公開了一種圖像傳感電路,包括:
傳感器,用于采集入射光線的光信號(hào),并將所述光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào);
光信號(hào)放大單元,對(duì)所述電信號(hào)進(jìn)行積分,生成積分信號(hào);
采樣保持單元,包括至少兩個(gè)并聯(lián)的信號(hào)采樣組件,用于通過所述至少一個(gè)信號(hào)采樣組件對(duì)所述積分信號(hào)進(jìn)行采樣生成采樣信號(hào),以及,通過至少一個(gè)其它信號(hào)采樣組件,輸出已生成的采樣信號(hào)。
優(yōu)選地,所述傳感器的輸入端連接固定電壓,輸出端連接所述光信號(hào)放大單元。
優(yōu)選地,所述光信號(hào)放大單元包括第一晶體管M1,第二晶體管M2,以及,積分電容Cint;所述第一晶體管M1的柵極連接控制電壓VR1,源極連接所述傳感器的輸出端,漏極連接所述積分電容Cint及所述第二晶體管M2的漏極,所述第二晶體管M2的源極連接復(fù)位電壓VR2,柵極連接復(fù)位信號(hào)RST,所述積分電容Cint接地;
當(dāng)所述復(fù)位信號(hào)RST為低電平時(shí),所述第二晶體管M2截止,所述積分電容Cint對(duì)所述電信號(hào)進(jìn)行積分生成積分信號(hào);
當(dāng)所述復(fù)位信號(hào)RST為高電平時(shí),所述第二晶體管M2導(dǎo)通,所述積分電容Cint進(jìn)行復(fù)位清除所述積分信號(hào)。
優(yōu)選地,所述光信號(hào)放大單元還包括運(yùn)算放大器,所述運(yùn)算放大器的輸入端的正極連接所述控制電壓VR1,輸入端的負(fù)極連接所述傳感器的輸出端及所述第一晶體管M1的源極,輸出端連接所述第一晶體管M1的柵極,所述第一晶體管M1的漏極連接所述積分電容Cint及所述第二晶體管M2的漏極,所述第二晶體管M2的源極連接復(fù)位電壓VR2,柵極連接復(fù)位信號(hào)RST,所述積分電容Cint接地。
優(yōu)選地,所述采樣組件包括第一采樣組件及第二采樣組件,所述第一采樣組件包括第三晶體管M3,第四晶體管M4,以及,第一采樣電容Cs1;所述第二采樣組件包括第五晶體管M5,第六晶體管M6,以及,第二采樣電容Cs2;所述第三晶體管M3的柵極連接第一控制信號(hào)S1,所述第四晶體管M4的柵極連接第二控制信號(hào)S2,所述第五晶體管M5的柵極連接第三控制信號(hào)S3,所述第六晶體管M6的柵極連接第四控制信號(hào)S4;所述第三晶體管M3的漏極與所述第四晶體管M4的源極相連,并且與所述第一采樣電容Cs1相連;所述第五晶體管M5的漏極與第六晶體管M6的源極相連,并且與所述第二采樣電容Cs2相連,所述第四晶體管M4的漏極與所述第六晶體管M6的漏極相連;所述第一采樣電容Cs1與第二采樣電容Cs2接地;
當(dāng)所述復(fù)位信號(hào)RST第一次從高電平轉(zhuǎn)為低電平之前,所述第一控制信號(hào)S1轉(zhuǎn)為高電平,所述第三晶體管M3導(dǎo)通,所述第一采樣電容Cs1對(duì)所述積分信號(hào)進(jìn)行采樣生成第一采樣信號(hào);
當(dāng)所述復(fù)位信號(hào)RST第一次從低電平轉(zhuǎn)為高電平之前,所述第一控制信號(hào)S1轉(zhuǎn)為低電平,所述第三晶體管M3截止;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京立博信榮科技有限公司,未經(jīng)北京立博信榮科技有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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