[發明專利]含有納米顆粒的介電組合物

在審

• 申請號: 201310399879.7
• 申請日: 2013-07-01
• 公開（公告）號: CN103531268A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: U·卡藤博恩
• 申請（專利權）人: 施耐德電器工業公司
• 主分類號: H01B3/00
• 分類號: H01B3/00;H01B3/20;H01B3/56;H01B3/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賈靜環

1.介電組合物，其包含至少一種介電的有機流體和納米顆粒。

2.根據權利要求1所述的介電組合物，其特征在于，至少50％、優選至少75％、尤其優選至少90％、尤其是優選至少95％、特別是尤其優選至少99％以及最優選所有的納米顆粒由相對介電常數ε_r在1至1000、優選在1至200之間的材料所構成。

3.根據權利要求1或2的介電組合物，其特征在于，至少一部分所述納米顆粒是由從金屬氧化物、非金屬氧化物、金屬硼化物、非金屬硼化物、金屬氮化物、非金屬氮化物、金屬碳化物、非金屬碳化物、鹵素化合物、碳有機化合物、氟有機化合物、硅有機化合物、碳、以及兩種或更多種前述組分的任意組合中選出的材料所構成。

4.根據權利要求3所述的介電組合物，其特征在于，至少一部分所述納米顆粒是由從二氧化鈦、氧化鋅、氧化鐵、氧化鋯、二氧化鈰、以及兩種或更多種上述化合物的任意組合中選出的材料所構成。

5.根據權利要求4所述的介電組合物，其特征在于，至少一部分所述納米顆粒是由二氧化鈦、優選由銳鈦礦結晶型構成。

6.根據權利要求4或5所述的介電組合物，其特征在于，至少一部分所述納米顆粒優選涂有硅有機化合物和／或碳有機化合物，并且尤其優選涂有硅烷和／或氟硅烷。

7.根據上述權利要求中至少任一項所述的介電組合物，其特征在于，所述納米顆粒具有1至1000nm、優選5至100nm、尤其優選10至50nm、尤其優選15至50nm、進一步優選17至50nm、特別是尤其優選17至30nm、最優選17至25nm的平均顆粒直徑(d₅₀)。

8.根據上述權利要求中至少任一項所述的介電組合物，其特征在于，所述納米顆粒具有1至1000nm、優選5至100nm、尤其優選10至50nm、尤其優選15至50nm、進一步優選5至50nm、特別是尤其優選17至50nm、至多優選17至25nm的平均顆粒直徑(d_25／75)。

9.根據上述權利要求中至少任一項所述的介電組合物，其特征在于，所述納米顆粒具有1至1000nm、優選5至100nm、尤其優選10至50nm、尤其優選15至50nm、進一步優選17至50nm、特別是尤其優選17至30nm、至多優選由17至25nm的平均顆粒直徑(d_99／1)。

10.根據上述權利要求中至少任一項所述的介電組合物，其特征在于，所述納米顆粒具有雙峰的顆粒分布，在該雙峰顆粒分布中一部分顆粒的平均顆粒直徑(d₅₀)小于10nm的顆粒以及一部分顆粒的平均顆粒直徑(d₅₀)為10至100nm、尤其優選10至50nm并且特別是尤其優選10至25nm。

11.根據上述權利要求中至少任一項所述的介電組合物，其特征在于，所述組合物包含至少一種氟化酮和／或至少一種氟化烯烴，其中，所得到的流體在5巴、尤其優選1.5巴的壓力條件下具有小于25℃、優選小于0℃、尤其優選小于-10℃、特別是尤其優選小于-25℃的沸點，和／或所述流體的成分需要在高達大于75℃的溫度、優選大于105℃以及尤其優選大于125℃的溫度都是化學穩定的。

12.根據權利要求11所述的介電組合物，其特征在于，所述至少一種氟化酮為C_3-15氟化酮、優選C_3-10氟化酮、尤其優選C_3-8氟化酮并且特別是尤其優選C_3-6氟化酮。

13.根據權利要求11或12所述的介電組合物，其特征在于，所述至少一種氟化酮為C_2-15氟化烯烴、優選C_2-10氟化烯烴、尤其優選C_2-8氟化烯烴并且特別是尤其優選C_2-6-氟化烯烴。

14.根據上述權利要求中至少任一項所述的介電組合物在電子裝置內的用途，所述電子裝置優選在0.1至5000kV、優選0.1至1000kV、尤其優選1至60kV、特別是尤其優選1至52kV的電壓下運行。

15.一種電子裝置，尤其是用于低壓、中壓、高壓和／或最高電壓范圍的電子裝置，包括：

a)外殼；

b)至少一個布置在所述外殼內的引導電壓的元件；以及

c)位于所述外殼內的、根據權利要求1至13中至少一項所述的介電組合物，所述介電組合物與所述引導電壓的元件直接接觸。