[發(fā)明專利]半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體工藝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310399828.4 | 申請日: | 2013-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN103441081A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蕭友享;楊秉豐;葉勇誼;皮敦慶;陳銀發(fā);葉昶麟 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;H01L23/31;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陸勍 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 組合 結(jié)構(gòu) 工藝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體工藝。詳言之,本發(fā)明是關(guān)于一種包含垂直式接合芯片的半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體工藝。
背景技術(shù)
已知包含垂直式接合芯片的半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)的制造方法是將一垂直式芯片接合至一基板,其中該垂直式芯片的第一表面垂直該基板的一第一表面,且該垂直式芯片的第一表面具有芯片接墊,該基板的一第一表面具有基板接墊。該芯片接墊垂直該基板接墊,且二者十分靠近。接著,利用一焊料同時接觸該芯片接墊及該基板接墊,以電性連接該芯片接墊及該基板接墊。此方式的缺點為可靠度低,因為該芯片接墊的位置必須非常靠近該垂直式芯片的下緣,才能使該焊料同時接觸到該芯片接墊及該基板接墊。此外,該芯片接墊為垂直方向,當(dāng)該焊料在高溫時為可流動狀態(tài),其不容易附著至該芯片接墊上。為了改善上述問題,一種解決方案被提出。
發(fā)明內(nèi)容
本揭露的一方面是關(guān)于一種半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)。在一實施例中,該半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)包括一基板、至少一導(dǎo)體、一擋墻部及一第一芯片。該基板具有一上表面及至少一電性連接處,該電性連接處位于該上表面上。該導(dǎo)體位于該電性連接處上。該擋墻部鄰近于該基板,且用以頂?shù)衷搶?dǎo)體。該第一芯片具有一第一表面及至少一凸塊,該凸塊位于該第一芯片的該第一表面,該第一芯片的該第一表面大致垂直該基板的該上表面,該凸塊接觸該導(dǎo)體,且該凸塊的材質(zhì)與該導(dǎo)體的材質(zhì)不同。
因此,該凸塊與該導(dǎo)體間的接合可靠度可提高,且確保該凸塊與該電性連接處間的電性連接,同時確保該第一芯片與該基板間的電性連接。
本揭露的另一方面是關(guān)于一種半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)。在一實施例中,該半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)包括一基板、至少一導(dǎo)體、一擋墻部及一第一芯片。該基板具有一上表面及至少一電性連接處。該導(dǎo)體位于該電性連接處上。該擋墻部鄰近于該基板,且用以頂?shù)衷搶?dǎo)體。該第一芯片具有一第一表面、至少一凸塊、一保護(hù)層、一接墊及一球下金屬層。該保護(hù)層的一表面為該第一表面,該保護(hù)層具有一開口以顯露部份該接墊,該球下金屬層位于該保護(hù)層上及其開口中以接觸該接墊,該接墊的材質(zhì)為金,該凸塊位于該球下金屬層上,該第一芯片的該第一表面大致垂直該基板的該上表面,該凸塊接觸該導(dǎo)體。
本揭露的另一方面是關(guān)于一種半導(dǎo)體工藝。在一實施例中,該半導(dǎo)體工藝包括以下步驟:(a)提供一基板,該基板具有一上表面及至少一電性連接處;(b)形成至少一導(dǎo)體于該電性連接處上;(c)形成一擋墻部鄰近于該基板以頂?shù)衷搶?dǎo)體;(d)提供一第一芯片,該第一芯片具有一第一表面及至少一凸塊,該凸塊位于該第一芯片的該第一表面,且該凸塊的材質(zhì)與該導(dǎo)體的材質(zhì)不同;(e)接合該第一芯片至該基板,其中,該第一芯片的該第一表面大致垂直該基板的該上表面,該凸塊接觸該導(dǎo)體;及(f)進(jìn)行加熱,使得該凸塊熔化坍塌而附著至該導(dǎo)體上。
附圖說明
圖1顯示本發(fā)明半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)的一實施例的剖視示意圖。。
圖2顯示圖1的半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)中該導(dǎo)體及該第一電性連接處的俯視示意圖。
圖3顯示圖1中區(qū)域A的放大示意圖。
圖4顯示圖1中該第一芯片與該凸塊的局部放大示意圖。
圖5至圖14顯示本發(fā)明半導(dǎo)體工藝的一實施例的示意圖。
具體實施方式
參考圖1,顯示本發(fā)明半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)的一實施例的剖視示意圖。該半導(dǎo)體組合結(jié)構(gòu)1包括一基板10、至少一導(dǎo)體12、一擋墻部14、一第一芯片16、一底膠(Underfill)18、一第二芯片20、至少一第三芯片24、數(shù)個條第一導(dǎo)線22、數(shù)個條第二導(dǎo)線26及一封膠材料28。
該基板10具有一上表面101、一下表面102、一第一電性連接處103及一第二電性連接處104,其中,該上表面101相對該下表面102,且該第一電性連接處103及該第二電性連接處104位于該上表面101上。在本實施例中,該第一電性連接處103及該第二電性連接處104為導(dǎo)電指(Finger)。
該導(dǎo)體12位于該第一電性連接處103上。該導(dǎo)體12為可導(dǎo)電的材質(zhì),例如:金或銅。
該擋墻部14鄰近于該基板10,且用以頂?shù)衷搶?dǎo)體12。在本實施例中,該擋墻部14位于該電性連接處103上,且更覆蓋該基板10的該上表面101。該擋墻部14的材質(zhì)為不導(dǎo)電膠材,例如:聚酰亞胺(Polyimide,PI)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)或苯基環(huán)丁烯(Benzocyclobutene,BCB)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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