[發明專利]微機電雙層薄膜單元離面彎曲曲率測試結構

有效

• 申請號: 201310399655.6
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN103411516A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 李偉華;王雷;張曉強;張璐;周再發;孫超
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: G01B5/20
• 分類號: G01B5/20
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250
• 代理人: 王斌

1.一種微機電雙層薄膜單元離面彎曲曲率的測試結構，該測試結構由左右兩個相對放置的雙層薄膜門型結構（101）和測差游標（102）組成，其特征在于：

所述測差游標（102）由左右兩部分組成，其左半部分包括多個相同并順時針旋轉90度的“T”型結構，旋轉后的“T”型結構由水平矩形（102-1）和與其垂直的豎直矩形（102-2）構成，各個“T”型結構的水平矩形（102-1）與直梁（102-3）垂直連接，“T”型結構的豎直矩形（102-2）的兩條長邊是對準用的基線，其中，右側長邊為A基線，左邊長邊為B基線，所有“T”型結構的尺寸完全相同，所有A基線在一條直線上，B基線在另一條直線上；

所述測差游標（102）的右半部分由梳齒結構和位于齒上的“凸”型結構構成，梳齒結構由直梁（102-4）和垂直連接到直梁（102-4）的若干齒（102-11）構成，在齒（102-11）上與“T”?型結構相鄰的一邊設計有“凸”型結構（102-5～102-10），所述“凸”型結構的個數等于齒（102-11）的個數減1后乘以2，所述“凸”型結構上與齒垂直的4條直線是另一組對準基線，其中最左邊的為C1對準基線，向右依次為C2、C3、C4對準基線，C1、C2基線間距以及C3、C4基線間距均等于[（“凸”型個數×2-1）×△]，其中△為游標的最小分辨單位；

最上邊的“凸”型結構（102-5）的C2對準基線是測差游標（102）的水平中分線y，水平中分線y到測差游標（102）左半部分直梁（102-3）的左邊界和到測差游標右半部分直梁（102-4）右邊界的距離相等；

所述雙層薄膜門型結構（101）由上下兩層薄膜材料（105、104）疊合而成，包括錨區（101-1）和兩根直梁（101-2、101-3），直梁的上層材料（105）尺寸略窄于下層材料（104），兩根直梁（101-2、101-3）的形狀與尺寸相同，兩根直梁（101-2、101-3）的一端與錨區（101-1）連接，所述測差游標（102）由下層材料（104）制造，左邊雙層薄膜門型結構的直梁與測差游標（102）左半部分的直梁（102-3）連接，右邊雙層薄膜門型結構直梁與測差游標（102）右半部分的直梁（102-4）連接；

整個結構除固定在襯底上的錨區（101-1）外全部懸浮于襯底（100）之上，所述錨區（101-1）由三層材料疊合而成，自襯底（100）向上分別為底層支撐材料（103），下層薄膜材料（104），上層薄膜材料（105）。

2.根據權利要求1所述的微機電雙層薄膜單元離面彎曲曲率的測試結構，其特征在于，所述測差游標的齒和“T”型結構間隔排列，其中右半部分的直梁（102-4）與左半部分的直梁（102-3）平行，右半部分的齒（102-11）與左半部分“T”型結構的底部所對應的水平矩形（102-1）平行。

3.根據權利要求1所述的微機電雙層薄膜單元離面彎曲曲率的測試結構，其特征在于：B基線與最上邊的“凸”型結構（102-5）的C2對準基線對齊，A基線與B基線的間距比C2、C4或C1、C3的間距大1△。

4.根據權利要求1所述的微機電雙層薄膜單元離面彎曲曲率的測試結構，其特征在于任何兩個上下相鄰的“凸”型結構，設置在下面的“凸”型結構比上面的“凸”型結構向左平移2△。