[發明專利]原子室模塊、量子干涉裝置、電子設備及磁場控制方法有效
| 申請號: | 201310399153.3 | 申請日: | 2013-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN103684449B | 公開(公告)日: | 2018-07-03 |
| 發明(設計)人: | 珎道幸治;吉田啟之 | 申請(專利權)人: | 精工愛普生株式會社 |
| 主分類號: | H03L7/26 | 分類號: | H03L7/26 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 李輝;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁場 量子干涉裝置 磁場控制 電子設備 磁場產生部 預定位置處 發熱部 加熱器電流 頻率穩定度 磁場分量 電流產生 室內部 加熱 發熱 | ||
1.一種原子室模塊,其特征在于,具有:
封入有原子的原子室;
發熱部,其通過流過電流而發熱,對所述原子室進行加熱;以及
產生磁場的磁場產生部,
在所述原子室的內部,由所述磁場產生部產生的磁場與由流過所述發熱部的電流產生的磁場具有彼此相反方向的磁場分量,
所述磁場產生部是卷繞所述發熱部的供電線的一部分而得到的2個線圈,
所述原子室配置在所述2個線圈之間,
由流過所述2個線圈的電流產生的磁場的方向相同。
2.根據權利要求1所述的原子室模塊,其特征在于,
所述磁場產生部通過使流過所述發熱部的電流的至少一部分流過,由此使所述原子室的內部產生磁場。
3.根據權利要求1或2所述的原子室模塊,其特征在于,
所述原子室模塊具有磁屏蔽部,該磁屏蔽部將所述原子室、所述發熱部以及所述磁場產生部從外部磁場屏蔽開。
4.一種量子干涉裝置,其特征在于,具有:
權利要求1所述的原子室模塊;
光產生部,其產生包含共振光對的光并照射到所述原子室;
光檢測部,其檢測透射過所述原子室的光;以及
控制部,其根據所述光檢測部的檢測信號控制所述共振光對的頻率。
5.根據權利要求4所述的量子干涉裝置,其特征在于,
所述量子干涉裝置具有磁場控制部,所述磁場控制部控制所述磁場產生部產生的磁場,以減小所述原子室的內部磁場的變動量。
6.根據權利要求5所述的量子干涉裝置,其特征在于,
所述原子室模塊具有檢測由流過所述發熱部的電流產生的磁場的強度的磁檢測部,
所述磁場控制部根據所述磁檢測部的檢測信號,控制所述磁場產生部產生的磁場。
7.根據權利要求6所述的量子干涉裝置,其特征在于,
所述磁檢測部與所述發熱部接觸。
8.根據權利要求5所述的量子干涉裝置,其特征在于,
所述量子干涉裝置包含檢測流過所述發熱部的電流的電流檢測部,
所述磁場控制部根據所述電流檢測部的檢測信號,控制所述磁場產生部產生的磁場。
9.一種電子設備,其特征在于,該電子設備具有權利要求4~8中任一項所述的量子干涉裝置。
10.一種原子室的磁場控制方法,其控制封入有原子的原子室的內部磁場,所述原子室的磁場控制方法的特征在于,
由磁場產生部產生包含如下磁場分量的磁場,所述磁場分量的方向與基于流過對所述原子室進行加熱的發熱部的電流而產生的所述原子室的內部磁場的方向相反,
所述磁場產生部是卷繞所述發熱部的供電線的一部分而得到的2個線圈,
所述原子室配置在所述2個線圈之間,
由流過所述2個線圈的電流產生的磁場的方向相同。
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