[發(fā)明專利]一種閃存質(zhì)量檢測(cè)方法及裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310398968.X
• 申請(qǐng)日: 2013-09-04
• 公開（公告）號(hào): CN103489485A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭丹;李志雄
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市江波龍電子有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/08
• 分類號(hào): G11C29/08
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

1.一種閃存質(zhì)量檢測(cè)方法，其特征在于，所述方法包括：

通過閃存的以下至少一項(xiàng)參數(shù)：閃存的擦除時(shí)間、編程時(shí)間、初始錯(cuò)誤檢查和糾正碼ECC參數(shù)對(duì)閃存進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過閃存的擦除時(shí)間對(duì)閃存進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)包括：

從閃存芯片的同一層中抽取N個(gè)樣本塊，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作；

在所述擦除操作后，對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作，所述編程操作為向每一個(gè)樣本塊中寫入相同的特定隨機(jī)數(shù)；

對(duì)所述寫入相同特定隨機(jī)數(shù)的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作，并記錄每個(gè)樣本塊完成所述擦除操作的時(shí)間；

根據(jù)每個(gè)樣本塊完成所述擦除操作的時(shí)間確定所述閃存的質(zhì)量。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過閃存的編程時(shí)間對(duì)閃存進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)包括：

從閃存芯片的同一層中抽取N個(gè)樣本塊，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作；

在所述擦除操作后，對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作，所述編程操作為向每一個(gè)樣本塊中寫入相同的特定隨機(jī)數(shù)，并記錄每個(gè)樣本塊完成所述編程操作的時(shí)間；

根據(jù)每個(gè)樣本塊完成所述編程操作的時(shí)間確定所述閃存的質(zhì)量。

4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作包括：

對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊的非最低有效位頁進(jìn)行編程操作。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過初始ECC參數(shù)對(duì)閃存進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)包括：

從閃存芯片的同一層中抽取N個(gè)樣本塊，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作；

在所述擦除操作后，對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作，所述編程操作為向每一個(gè)樣本塊中寫入相同的特定隨機(jī)數(shù)，并對(duì)寫入的所述特定隨機(jī)數(shù)進(jìn)行ECC編碼；

讀取ECC編碼后的特定隨機(jī)數(shù)，并對(duì)讀取的所述特定隨機(jī)數(shù)進(jìn)行ECC解碼，記錄ECC解碼過程中每個(gè)樣本塊的錯(cuò)誤字節(jié)數(shù)；

根據(jù)每個(gè)樣本塊的錯(cuò)誤字節(jié)數(shù)確定所述閃存的質(zhì)量。

6.一種閃存質(zhì)量檢測(cè)裝置，其特征在于，所述裝置包括：

質(zhì)量檢測(cè)單元，用于通過閃存的以下至少一項(xiàng)參數(shù)：閃存的擦除時(shí)間、編程時(shí)間、初始錯(cuò)誤檢查和糾正碼ECC參數(shù)對(duì)閃存進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)。

7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述質(zhì)量檢測(cè)單元包括：

第一抽取模塊，用于從閃存芯片的同一層中抽取N個(gè)樣本塊，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

第一擦除模塊，用于對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作；

第一編程模塊，用于在所述擦除操作后，對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作，所述編程操作為向每一個(gè)樣本塊中寫入相同的特定隨機(jī)數(shù)；

第一記錄模塊，用于對(duì)所述寫入相同特定隨機(jī)數(shù)的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作，并記錄每個(gè)樣本塊完成所述擦除操作的時(shí)間；

第一質(zhì)量檢測(cè)模塊，用于根據(jù)每個(gè)樣本塊完成所述擦除操作的時(shí)間確定所述閃存的質(zhì)量。

8.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述質(zhì)量檢測(cè)單元包括：

第二抽取模塊，用于從閃存芯片的同一層中抽取N個(gè)樣本塊，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

第二擦除操作，用于對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作；

第二編程模塊，用于在所述擦除操作后，對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作，所述編程操作為向每一個(gè)樣本塊中寫入相同的特定隨機(jī)數(shù)，并記錄每個(gè)樣本塊完成所述編程操作的時(shí)間；

第二質(zhì)量檢測(cè)模塊，用于根據(jù)每個(gè)樣本塊完成所述編程操作的時(shí)間確定所述閃存的質(zhì)量。

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第二編程模塊用于：

對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊的非最低有效位頁進(jìn)行編程操作。

10.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，所述質(zhì)量檢測(cè)單元包括：

第三抽取模塊，用于從閃存芯片的同一層中抽取N個(gè)樣本塊，所述N為大于或等于1的整數(shù)；

第三擦除模塊，用于對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行擦除操作；

第一編碼模塊，用于在所述擦除操作后，對(duì)所述N個(gè)樣本塊中的每一個(gè)樣本塊進(jìn)行編程操作，所述編程操作為向每一個(gè)樣本塊中寫入相同的特定隨機(jī)數(shù)，并對(duì)寫入的所述特定隨機(jī)數(shù)進(jìn)行ECC編碼；

第三記錄模塊，用于讀取ECC編碼后的特定隨機(jī)數(shù)，并對(duì)讀取的所述特定隨機(jī)數(shù)進(jìn)行ECC解碼，記錄ECC解碼過程中每個(gè)樣本塊的錯(cuò)誤字節(jié)數(shù)；

第三質(zhì)量檢測(cè)模塊，用于根據(jù)每個(gè)樣本塊的錯(cuò)誤字節(jié)數(shù)確定所述閃存的質(zhì)量。