[發明專利]抗總劑量效應存儲單元電路

有效

• 申請號: 201310398912.4
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103489477A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 桑紅石;王文;張天序;梁巢兵;張靜;謝揚;袁雅婧
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G11C11/413
• 分類號: G11C11/413
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，全部由PMOS管構成。

2.如權利要求1所述的抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，包括：第一、第二PMOS管（401、402），第三、第四PMOS管（403、404）和第五、第六PMOS管（405、406）；其中，

第一、第二PMOS管（401、402）為上拉管，第一PMOS管（401）的源極連接電源電壓VDD，柵極連接反相存儲節點（QN4），漏極連接存儲節點（Q4），第二PMOS管（402）的源極連接電源電壓VDD，柵極連接存儲節點（Q4），漏極連接反相存儲節點（QN4）；

第三、第四PMOS管（403、404）為讀出訪問管，第三PMOS管（403）的源極連接讀操作選擇字線（410），柵極連接存儲節點（Q4），漏極連接第一讀出位線（411），第四PMOS管（404）的源極連接讀操作選擇字線（410），柵極連接反相存儲節點（QN4），漏極連接第二讀出位線（412）；

第五、第六PMOS管（405、406）為寫入訪問管，第五PMOS管（405）的源極連接存儲節點（Q4），柵極連接寫入選擇字線（407），漏極連接第一寫位線（408），第六PMOS管（406）的源極連接反相存儲節點（QN4），柵極連接寫入選擇字線（407），漏極連接第二寫位線（409）。

3.如權利要求2所述的抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，所述第一、第二PMOS管（401、402）的寬長比越小，所述存儲單元電路處于數據保持時的失效時間越長。

4.如權利要求1所述的抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，包括：第一、第二PMOS管（501、502）和第三、第四PMOS管（503、504）；其中，

第一、第二PMOS管（501、502）為讀出訪問管，第一PMOS管（501）的源極連接讀操作選擇字線（508），柵極連接存儲節點（Q5），漏極連接第一讀出位線（509），第二PMOS管（502）的源極連接讀操作選擇字線（508），柵極連接反相存儲節點（QN5），漏極連接第二讀出位線（510）；

第三、第四PMOS管（503、504）為寫入訪問管，第三PMOS管（503）的源極連接存儲節點（Q5），柵極連接寫入選擇字線（505），漏極連接第一寫位線（506），第四PMOS管（504）的源極連接反相存儲節點（QN5），柵極連接寫入選擇字線（505），漏極連接第二寫位線（507）。

5.如權利要求4所述的抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，所述第三、第四PMOS管（503、504）的寬長比越小，所述存儲單元電路處于數據保持時的失效時間越長。

6.如權利要求1所述的抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，包括：第一、第二PMOS管（601、602）和第三、第四PMOS管（603、604）；其中，

第一、第二PMOS管（601、602）為上拉管，第一PMOS管（601）的源極連接電源電壓VDD，柵級連接反相存儲節點（QN6），漏極連接存儲節點（Q6），第二PMOS管（602）的源極連接電源電壓VDD，柵極連接存儲節點（Q6），漏極連接反相存儲節點（QN6）；

第三、第四PMOS管（603、604）為訪問管，第三PMOS管（603）的源極連接存儲節點（Q6），柵極連接訪問選擇字線（605），漏極連接第一位線（606），第四PMOS管（604）的源極連接反相存儲節點（QN6），柵極連接訪問選擇字線（605），漏極連接第二位線（607）。

7.如權利要求6所述的抗總劑量效應存儲單元電路，其特征在于，所述第一、第二PMOS管（601、602）的寬長比越小，所述存儲單元電路處于數據保持時的失效時間越長。