[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201310398736.4
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN104425359B
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 魏琰;邱慈云;施雪捷;宋化龍;劉欣
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底表面形成有柵極結構；

對所述柵極結構兩側的半導體襯底內進行第一輕摻雜離子注入，形成第一輕摻雜區；

對所述柵極結構兩側的半導體襯底內進行第二輕摻雜離子注入，形成第二輕摻雜區，所述第二輕摻雜區包圍所述第一輕摻雜區，第二輕摻雜離子注入的劑量小于第一輕摻雜離子注入的劑量，第二輕摻雜離子注入的離子能量高于第一輕摻雜離子注入的離子能量，并且第一輕摻雜離子注入的離子類型和第二輕摻雜離子注入的離子類型相同；

在形成所述第一輕摻雜區和第二輕摻雜區之后，在所述柵極結構側壁表面形成側墻；在所述側墻兩側的半導體襯底表面及側墻表面形成多晶硅層，對所述側墻兩側的多晶硅層和半導體襯底進行重摻雜離子注入，形成源極和漏極。

2.根據權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜離子注入先于第二輕摻雜離子注入進行或者所述第二輕摻雜離子注入先于第一輕摻雜離子注入。

3.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜離子注入的離子類型為N型離子，至少包括P、As、Sb中的一種離子。

4.根據權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜離子注入的離子為As，注入劑量為1E14atom/cm²～5E15atom/cm²，注入能量為3KeV～10KeV。

5.根據權利要求3所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜離子注入的離子類型為N型離子，至少包括P、As、Sb中的一種離子。

6.根據權利要求5所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜離子注入的離子為P，注入劑量為1E13atom/cm²～5E13atom/cm²,注入能量為40KeV～70KeV。

7.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜離子注入的離子類型為P型離子，至少包括B、Ga、In中的一種離子。

8.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第一輕摻雜離子注入的離子為BF₂⁺，注入劑量為1E14atom/cm²～5E15atom/cm²，注入能量為3KeV～10KeV。

9.根據權利要求7所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜離子注入的離子類型為P型離子，至少包括B、Ga、In中的一種離子。

10.根據權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述第二輕摻雜離子注入的離子為BF₂⁺，注入劑量為1E13atom/cm²～5E13atom/cm²，注入能量為40KeV～80KeV。

11.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述重摻雜離子注入的離子類型與第一摻雜離子注入的離子類型、第二輕摻雜離子注入的離子類型相同。

12.根據權利要求2所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述柵極結構之前，對所述半導體襯底進行閾值調整注入，所述閾值調整注入的離子類型與第一輕摻雜離子注入的離子類型、第二輕摻雜離子注入的離子類型不同。

13.根據權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述第一摻雜區和第二摻雜區之后，在所述柵極結構側壁表面形成側墻；在所述側墻兩側的半導體襯底表面及側墻表面形成多晶硅層，所述多晶硅層摻雜有雜質離子，所述雜質離子的類型與第一輕摻雜離子注入的離子類型、第二輕摻雜離子注入的離子類型相同。

14.根據權利要求13所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層采用原位摻雜工藝形成。