[發明專利]半導體器件的缺陷檢測方法和裝置有效
| 申請號： | 201310398712.9 | 申請日： | 2013-09-04 |
| 公開（公告）號： | CN104425302B | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發明（設計）人： | 張靜 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 缺陷 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種半導體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，包括：
提供待檢測晶圓；
采用熱點規范和設計圖形標準規范對所述待檢測晶圓進行檢測，標出與熱點規范或設計圖形標規范不符的位置，以獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置；
根據所述缺陷位置生成若干關心區域，每一關心區域內至少具有一個缺陷；
獲取關心區域內的缺陷位置數據；
根據所述關心區域內的缺陷位置數據對所述關心區域的缺陷進行檢測，獲取關心區域內的缺陷參數。
2.如權利要求1所述半導體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，所述關心區域的尺寸大于或等于8微米。
3.如權利要求1所述半導體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，所述關心區域的分辨率范圍為0.12微米～0.20微米。
4.如權利要求1所述半導體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，對所述關心區域的缺陷進行檢測的方法包括：根據關心區域內的缺陷位置數據生成關心區域缺陷分布圖；根據關心區域缺陷分布圖對缺陷進行掃描，以獲取缺陷參數。
5.如權利要求1所述半導體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，所述缺陷參數包括缺陷位置參數和缺陷尺寸參數。
6.如權利要求1所述半導體器件的缺陷檢測方法，其特征在于，還包括：根據所述缺陷參數對關心區域的缺陷進行復查。
7.一種半導體器件的缺陷檢測裝置，用于檢測待測晶圓，其特征在于，包括：
缺陷定位單元，用于根據熱點規范和設計圖形標準規范對所述待檢測晶圓進行檢測，標出與熱點規范或設計圖形標規范不符的位置，以獲取所述待檢測晶圓上的缺陷位置；
關心區域定位單元，用于根據所述缺陷位置生成若干關心區域，每一關心區域內至少具有一個缺陷；
位置數據提取單元，用于獲取關心區域內的缺陷位置數據；
檢測單元，用于根據所述關心區域內的缺陷位置數據對所述關心區域的缺陷進行檢測，獲取關心區域內的缺陷參數。
8.如權利要求7所述半導體器件的缺陷檢測裝置，其特征在于，還包括：復查單元，用于根據所述缺陷參數對關心區域的缺陷進行復查。
9.如權利要求7所述半導體器件的缺陷檢測裝置，其特征在于，所述檢測單元包括：數據轉換單元，用于采用關心區域內的缺陷位置數據生成關心區域缺陷分布圖；掃描單元，用于根據關心區域缺陷分布圖對缺陷進行掃描，以獲取缺陷參數。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
