[發(fā)明專利]布局圖形的檢查方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310398625.3
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN104423143B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王輝;李天慧
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G03F1/36
• 分類號: G03F1/36
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種布局圖形的檢查方法，其特征在于，包括：

提供目標圖形和光學(xué)透鏡系統(tǒng)，以及根據(jù)目標圖形和光學(xué)透鏡系統(tǒng)設(shè)計的原始光掩模圖形；

獲取所述原始光掩模圖形和光學(xué)透鏡參數(shù)，根據(jù)光學(xué)透鏡系統(tǒng)參數(shù)對所述原始光掩模圖形進行第一模型化，獲得與所述原始光掩模圖形上的各點相對應(yīng)的空間光強；

獲取光刻參數(shù)，根據(jù)光刻參數(shù)對所述空間光強進行第二模型化，獲得與所述原始光掩模圖形上的各點相對應(yīng)的光刻光強；

逐一比較所述原始光掩模圖形上的各點的空間光強和光刻光強，獲取兩者的區(qū)別值，當所述區(qū)別值大于第一預(yù)定值時，則對所述原始光掩模圖形上的該點進行標記。

2.如權(quán)利要求1所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，獲取所述區(qū)別值的方法為：根據(jù)所述原始光掩模圖形上的各點的空間光強和光刻光強，獲得兩者差值的絕對值，然后獲得所述差值的絕對值與所述光刻光強之間的比值。

3.如權(quán)利要求2所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，所述第一預(yù)定值為7％-10％。

4.如權(quán)利要求1所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，還包括：根據(jù)目標圖形修改原始光掩模圖形上所有被標記的點，形成初步符合要求的光掩模圖形；依據(jù)所述初步符合要求的光掩模圖形，制作原始光掩模板。

5.如權(quán)利要求4所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，還包括：提供晶圓和原始光掩模板；利用所述原始光掩模板和光學(xué)透鏡系統(tǒng)對所述晶圓進行曝光顯影，形成實際的光刻圖形，所述實際的光刻圖形上的各點分別與所述原始光掩模圖形上的各點、所述目標圖形上的各點一一對應(yīng)。

6.如權(quán)利要求1所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，還包括：獲取光線經(jīng)光刻系統(tǒng)后的靜態(tài)焦距，根據(jù)所述靜態(tài)焦距對所述原始光掩模圖形進行模擬，形成靜態(tài)焦距相關(guān)圖形；逐一獲取所述靜態(tài)焦距相關(guān)圖形上各點與對應(yīng)的目標圖形上各點的距離，當所述距離大于第二預(yù)定值時，則對所述原始光掩模圖形上的該點進行標記。

7.如權(quán)利要求6所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，還包括：獲取光線經(jīng)光刻系統(tǒng)后的動態(tài)焦距，根據(jù)所述動態(tài)焦距對所述原始光掩模圖形進行模擬，形成動態(tài)焦距相關(guān)圖形；逐一獲取所述動態(tài)焦距相關(guān)圖形上各點與對應(yīng)的目標圖形上各點的距離，當所述距離大于第三預(yù)定值時，則對所述原始光掩模圖形上的該點進行標記。

8.如權(quán)利要求7所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，所述第二預(yù)定值小于第三預(yù)定值。

9.如權(quán)利要求5或8所述的布局圖形的檢查方法，其特征在于，還包括：根據(jù)原始光掩模圖形上被標記的點檢查實際的光刻圖形上對應(yīng)的點與目標圖形上對應(yīng)的點的距離，當實際的光刻圖形上對應(yīng)的點與目標圖形上對應(yīng)的點的距離大于第四預(yù)定值時，則判定原始光掩模圖形上的該點為缺陷點。