[發明專利]制造硅單晶的方法有效
| 申請號： | 201310398585.2 | 申請日： | 2013-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN103668435A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | J·洛布邁爾;G·布倫寧格;W·施泰因 | 申請（專利權）人： | 硅電子股份公司 |
| 主分類號： | C30B13/20 | 分類號： | C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 李振東;過曉東 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制造 硅單晶 方法 | ||
【權利要求書】：
1.制造硅單晶的方法，該方法包括：
感應加熱硅板；
使所述硅板上的顆粒狀硅熔化；及
將熔化的硅經由位于所述板的中心的流出管送至相界面，在此使硅單晶結晶，其特征在于
在感應加熱所述板之前感應加熱硅環，其中所述環位于所述板上，并且所述環的電阻率低于所述板；及
使所述環熔化。
2.根據權利要求1的方法，其特征在于，所述環的電阻率不大于80mΩcm。
3.根據權利要求1或2的方法，其特征在于，所述板的電阻率不小于1Ωcm。
4.根據權利要求1至3之一的方法，其特征在于，所述環的外徑小于所述板的外徑。
5.根據權利要求1至4之一的方法，其特征在于，所述環的內徑與所述流出管的內徑相等。
6.根據權利要求1至5之一的方法，其特征在于，所述環的厚度小于所述板的厚度。
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