[發(fā)明專利]一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310398529.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103454325A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海移宇科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N27/30 | 分類號(hào): | G01N27/30;G01N27/26 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 許亦琳;余明偉 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光催化 葡萄糖 微電極 傳感器 及其 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電化學(xué)檢測(cè)領(lǐng)域,特別是涉及一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的葡萄糖微電極傳感器通過葡萄糖氧化酶對(duì)電極進(jìn)行修飾,在葡萄糖微電極傳感器檢測(cè)血糖時(shí)對(duì)氧氣有一定依賴性,且檢測(cè)必須在較高電位才能夠進(jìn)行,從而共存的電活性物質(zhì)可能引起一系列的副作用。
近年來,納米科學(xué)領(lǐng)域已經(jīng)成為新世紀(jì)的科學(xué)前沿,它將改變?nèi)祟惖纳a(chǎn)和生活方式。同時(shí),納米科技在基礎(chǔ)科學(xué)方面向人們提出許多新的挑戰(zhàn),促進(jìn)基礎(chǔ)科學(xué)的發(fā)展。半導(dǎo)體量子點(diǎn)是半導(dǎo)體納米材料的典型結(jié)構(gòu),它已經(jīng)在信息技術(shù)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。由于量子尺寸效應(yīng)和表面效應(yīng),半導(dǎo)體量子點(diǎn)己成為人們研究的熱點(diǎn)。人們制備量子點(diǎn)和研究其性質(zhì)的努力已經(jīng)進(jìn)行了二十多年,取得了巨大進(jìn)展。量子點(diǎn)是一種由II-VI族和III一族元素組的納米顆粒,它具有尺寸依賴的電學(xué)和光學(xué)性能,在發(fā)光二極管,非性光學(xué),太陽能電池,生命科學(xué)等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。目前制得的半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料,主要有以下幾大類:(1)IV族量子點(diǎn)材料,如:Si、Ge;(2)III-V族量子點(diǎn)材料,如:InAs、GaSb、GaN等量子點(diǎn);(3)II-VI族量子點(diǎn)材料,如:CdSe、ZnSe、CdTe等量子點(diǎn)。
由于半導(dǎo)體納米量子點(diǎn)具有獨(dú)特的光電性質(zhì),寬的光吸收光譜、窄且可調(diào)節(jié)發(fā)射光譜、高光電穩(wěn)定性等,以及高表面活性等優(yōu)點(diǎn),使得他們易于分析物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)并產(chǎn)生相應(yīng)的信號(hào),因此,半導(dǎo)體納米量子點(diǎn)在生物傳感器領(lǐng)域應(yīng)用范圍越來越大。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種光催化型葡萄糖微電極傳感器及其制備方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明利用半導(dǎo)體量子點(diǎn)在特定波長下具有最大光吸收,電子發(fā)生躍遷產(chǎn)生光電流,將量子點(diǎn)作為光敏元件固定到酶電極上,從而制備光催化型葡萄糖微電極傳感器。
本發(fā)明第一方面提供一種光催化型葡萄糖微電極傳感器,包括基材,所述基材上設(shè)有工作電極、對(duì)電極和參比電極,所述工作電極的工作區(qū)域上設(shè)有半導(dǎo)體量子點(diǎn)修飾層和葡萄糖氧化酶修飾層,所述基材中設(shè)有微光纖,所述微光纖所傳輸?shù)墓獯怪贝┻^工作電極,所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)為CdSe@CdS半導(dǎo)體量子點(diǎn)。
優(yōu)選的,所述工作電極、對(duì)電極和參比電極各自設(shè)有一個(gè)與其對(duì)應(yīng)的針腳,所述各針腳均位于微電極傳感器的頂端。
優(yōu)選的,所述各電極(工作電極、對(duì)電極、參比電極)互相之間絕緣,并依照工作電極、對(duì)電極、參比電極的順序自微電極傳感器的末端至頂端依次排列。
優(yōu)選的,所述微電極傳感器表面設(shè)有一層生物相容性保護(hù)層。具體指整個(gè)微電極傳感器表面(包括各電極表面),均設(shè)有一層生物相容性保護(hù)層。
更優(yōu)選的,所述生物相容性保護(hù)層的材質(zhì)為有機(jī)硅酮。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述生物相容性保護(hù)層為有機(jī)硅酮,例如二甲基硅氧烷及其親水改性物。
生物相容性保護(hù)層可以調(diào)節(jié)葡萄糖的透過;可以保護(hù)修飾層不脫落;可以使得該傳感器由好的生物相容性,減小人體的免疫排斥反應(yīng)。
優(yōu)選的,所述工作電極為銦錫氧化物(ITO,Indium?tin?oxide)導(dǎo)電玻璃電極。
本發(fā)明中對(duì)銦錫氧化物中SnO2:In2O3比例并無特殊要求。
優(yōu)選的,銦錫氧化物中SnO2:In2O3比例為通常質(zhì)量比,即SnO2:In2O3的質(zhì)量比為1:9。
優(yōu)選的,所述對(duì)電極為鉑電極。
優(yōu)選的,所述參比電極為Ag/AgCl電極。
優(yōu)選的,所述微光纖所傳輸?shù)墓獾牟ㄩL范圍為350-1250nm。優(yōu)選為580nm-680nm。
優(yōu)選的,所述半導(dǎo)體量子點(diǎn)的粒徑范圍為4-10nm。
優(yōu)選的,所述工作電極的工作區(qū)域上,還設(shè)有碳納米管修飾層。
更優(yōu)選的,所述工作電極的工作區(qū)域上,各修飾層的順序?yàn)椋刃揎椧粚犹技{米管,再修飾一層半導(dǎo)體量子點(diǎn),再修飾一層葡萄糖氧化酶。
優(yōu)選的,所述微電極傳感器的厚度為0.05-1mm,工作電極的工作區(qū)域面積為2-10mm2,對(duì)電極的工作區(qū)域面積為2-15mm2,參比電極的工作區(qū)域面積為1-10mm2。
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