[發明專利]碳納米管連續生長裝置在審
| 申請號： | 201310398409.9 | 申請日： | 2013-09-05 |
| 公開（公告）號： | CN104418318A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 任昕;邊歷峰;朱建軍 | 申請（專利權）人： | 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號： | C01B31/02 | 分類號： | C01B31/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215123 江蘇省蘇州*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 連續 生長 裝置 | ||
1.一種碳納米管連續生長裝置，包括基板以及形成于所述基板表面的催化劑薄膜，其特征在于：所述的基板開設有第一通孔，所述的催化劑薄膜包括連通于所述第一通孔的第二通孔。
2.根據權利要求1所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的基板的材質為硅、陶瓷、鐵或不銹鋼；所述的第一通孔的直徑為50~200nm。
3.根據權利要求1所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的催化劑薄膜的材質選自鐵、鐵的氧化物、鈷、鈷的氧化物、鎳、鎳的氧化物的一種或多種；所述的第二通孔的直徑為10~100nm；所述的催化劑薄膜的厚度為5~500nm。
4.根據權利要求1所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的催化劑薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面。
5.一種碳納米管連續生長裝置，其特征在于，包括：
加熱室，具有一加熱腔，所述的加熱室開設有連通于所述加熱腔的通氣孔；
位于所述加熱腔內的基板以及形成于所述基板表面的催化劑薄膜，所述的基板開設有第一通孔，所述的催化劑薄膜包括連通于所述第一通孔的第二通孔；
加熱裝置，對所述的加熱腔進行加熱。
6.根據權利要求5所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的加熱室為石英管，所述的加熱裝置為纏繞于所述石英管外側的電阻絲。
7.根據權利要求5所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的基板的材質為硅、陶瓷、鐵或不銹鋼；所述的第一通孔的直徑為50~200nm。
8.根據權利要求5所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的催化劑薄膜的材質選自鐵、鐵的氧化物、鈷、鈷的氧化物、鎳、鎳的氧化物的一種或多種；所述的第二通孔的直徑為10~100nm；所述的催化劑薄膜的厚度為5~500nm。
9.根據權利要求5所述的碳納米管連續生長裝置，其特征在于：所述的催化劑薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面。
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