[發明專利]噴嘴組件和制造太陽能電池的方法

有效

• 申請號: 201310398155.0
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN104253177B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發明（設計）人: 陳世偉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

設置子結構，所述子結構包括接近劃片器尖端的緩沖層和吸收層；

使用所述劃片器尖端穿過所述子結構的所述緩沖層和所述吸收層劃出P2劃線；以及

當穿過所述緩沖層和吸收層劃出所述P2劃線時，將納米顆粒溶液沉積在所述緩沖層的接近所述P2劃線的至少一部分上，從而防止透明導電氧化物（TCO）層形成在所述緩沖層的所述至少一部分上方。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述納米顆粒溶液包括：將二氧化硅納米顆粒溶液噴灑到所述緩沖層的所述至少一部分上。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：從包括所述劃片器的裝置的基部向外延伸噴嘴，使得所述噴嘴的中心線與所述基部的表面成非垂直角。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：從包括所述劃片器的裝置的基部向外延伸噴嘴，使得所述噴嘴的中心線與所述基部的表面成垂直角。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括：將噴嘴相對于包括所述劃片器的裝置的基部移動，從而改變所述噴嘴和所述劃片器尖端之間的預定距離。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，沉積所述納米顆粒溶液包括：將納米顆粒溶液噴灑在所述緩沖層的表面上的預定區域上。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括：改變用于執行噴灑的噴嘴的壓力，從而改變所述表面上的噴灑有所述納米顆粒溶液的所述預定區域。

8.一種噴嘴組件，包括：

基部，被配置成接近子結構定位；

劃片器，連接至所述基部，所述劃片器包括尖端，所述尖端被配置成穿過所述子結構的緩沖層和吸收層劃出P2劃線；以及

噴嘴，連接至所述基部，從而將所述噴嘴設置為接近所述劃片器的尖端，所述噴嘴被配置成當穿過所述緩沖層和吸收層劃出P2線時將納米顆粒溶液噴灑在所述緩沖層的至少一部分上，從而防止透明導電氧化物（TCO）層形成在所述緩沖層的所述至少一部分上方。

9.根據權利要求8所述的噴嘴組件，其中，所述噴嘴被配置成將二氧化硅納米顆粒溶液噴灑在所述緩沖層的所述至少一部分上。

10.一種沉積系統，包括：

輸送機，被配置成在所述沉積系統內移動子結構；以及

噴嘴組件，連接至所述輸送機，所述噴嘴組件包括：

基部，被配置成接近子結構定位；

劃片器，連接至所述基部，所述劃片器包括被配置成穿過所述子結構的緩沖層和吸收層劃出P2劃線的尖端；和

噴嘴，連接至所述基部，從而將所述噴嘴設置成與所述劃片器的尖端相隔預定距離，所述噴嘴被配置成當穿過所述緩沖層和吸收層劃出所述P2劃線時在預定壓力下將納米顆粒溶液噴灑在所述緩沖層的至少一部分上，從而防止透明導電氧化物（TCO）層形成在所述緩沖層的所述至少一部分上方。