[發明專利]具有異常字線檢測器的閃存系統及其異常字線檢測方法

有效

• 申請號: 201310397588.4
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103680637B
• 公開（公告）日: 2019-05-28
• 發明（設計）人: 郭東勛;樸商秀;任載禹
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/04
• 分類號: G11C29/04
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;王秀君

1.一種閃存系統，包括：

具有存儲單元陣列的閃存以及被構造為控制閃存的操作的存儲器控制器，其中，存儲器控制器包括：

ECC電路，接收從閃存讀取的第一頁數據和第二頁數據，并分別對第一頁數據中的失敗位的第一數量以及第二頁數據中的失敗位的第二數量進行計數；

異常字線檢測器，被構造為：將失敗位的第一數量與失敗位的第二數量進行比較以推導第一頁數據與第二頁數據之間的失敗位改變率，確定失敗位改變率是否超過參考失敗位改變率，并且響應于失敗位改變率超過參考失敗位改變率，來產生指示檢測到異常字線的“失敗信號”作為異常字線檢測信號，響應于失敗位改變率不超過參考失敗位改變率，來產生指示未檢測到異常字線的“通過信號”作為異常字線檢測信號；

控制單元，響應于異常字線檢測信號來控制閃存的操作。

2.如權利要求1所述的閃存系統，其中，異常字線檢測器響應于由控制單元提供的使能信號而進行操作。

3.如權利要求1所述的閃存系統，其中，從連接到第一字線的第一閃存單元讀取第一頁數據，從連接到與第一字線不同的第二字線的第二閃存單元讀取第二頁數據。

4.如權利要求3所述的閃存系統，其中，第一字線和第二字線在存儲單元陣列中彼此物理地相鄰。

5.如權利要求1所述的閃存系統，其中，異常字線檢測器還被構造為存儲失敗位的第一數量和失敗位的第二數量。

6.如權利要求1所述的閃存系統，其中，存儲單元陣列具有三維結構。

7.一種閃存系統，包括：

閃存，包括：

存儲單元陣列；

截止單元計數器，使用讀取電壓對通過讀取操作從閃存讀取的第一頁數據中的截止單元的第一數量進行計數，并對通過讀取操作從閃存讀取的第二頁數據中的截止單元的第二數量進行計數；

存儲器控制器，被構造為控制閃存的操作，其中，存儲器控制器包括：

異常字線檢測器，被構造為：將截止單元的第一數量與截止單元的第二數量進行比較以推導第一頁數據與第二頁數據之間的截止單元改變率，確定截止單元改變率是否超過參考截止單元改變率，并且響應于截止單元改變率超過參考截止單元改變率來產生指示檢測到異常字線的“失敗信號”作為異常字線檢測信號，響應于截止單元改變率不超過參考截止單元改變率,來產生指示未檢測到異常字線的“通過信號”作為異常字線檢測信號；

控制單元，響應于異常字線檢測信號來控制閃存的操作。

8.如權利要求7所述的閃存系統，其中，異常字線檢測器響應于由控制單元提供的使能信號而進行操作。

9.如權利要求7所述的閃存系統，其中，從連接到第一字線的第一閃存單元讀取第一頁數據，從連接到與第一字線不同的第二字線的第二閃存單元讀取第二頁數據。

10.如權利要求9所述的閃存系統，其中，第一字線和第二字線在存儲單元陣列中彼此物理地相鄰。

11.如權利要求7所述的閃存系統，其中，異常字線檢測器還被構造為存儲截止單元的第一數量和截止單元的第二數量。

12.如權利要求7所述的閃存系統，其中，存儲單元陣列具有三維結構。