[發明專利]發光二極管封裝結構在審
| 申請號: | 201310397426.0 | 申請日: | 2013-09-04 |
| 公開(公告)號: | CN104282814A | 公開(公告)日: | 2015-01-14 |
| 發明(設計)人: | 田運宜 | 申請(專利權)人: | 隆達電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/22 | 分類號: | H01L33/22 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 封裝 結構 | ||
1.一種發光二極管封裝結構,包括:
封裝基板;以及
發光二極管芯片,包括:
基材,具有相對的第一表面以及第二表面;
圖案化結構,形成于該基材的該第二表面;
第一半導體層,配置于該基材的該第一表面;
主動層,配置于該第一半導體層的一部分表面上,并且使未被該主動層所覆蓋的剩余的該第一半導體層裸露出;及
第二半導體層,配置于該主動層上;
其中,該發光二極管芯片是以該第一、第二半導體層面向該封裝基板的倒裝型態配置于該封裝基板上。
2.如權利要求1所述的發光二極管發光結構,其中該圖案化結構具有一非平坦表面,該非平坦表面的剖面形狀包括錐形、柱形、半圓形、梯形其中之一或其組合。
3.如權利要求2所述的發光二極管封裝結構,其中該封裝基板上還包括有第一電極和第二電極。
4.如權利要求3所述的發光二極管封裝結構,其中該發光二極管芯片還包括:
第三電極,配置于裸露的該第一半導體層上;及
第四電極,配置于該第二半導體層上;
其中,該第一電極與該第三電極電連接,而該第二電極與該第四電極電連接。
5.如權利要求4所述的發光二極管封裝結構,還包括︰
第一導體,用以電連接該第一電極和該第三電極;及
第二導體,用以電連接該第二電極和該第四電極。
6.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構,還包括一底膠,用以包覆該第一導體、該第二導體與部分該發光二極管芯片的側面。
7.如權利要求6所述的發光二極管封裝結構,其中該底膠內包含一第一波長轉換物質,被該主動層所發出的波長為λ1的第一光線照射后,可發出波長為λ2的第二光線,且λ2>λ1。
8.如權利要求7所述的發光二極管封裝結構,其中該底膠內還包含一反射粒子組成物,用以反射該第一光線。
9.如權利要求1至8中任一項中所述的發光二極管封裝結構,還包括一波長轉換層,配置于該圖案化結構上,該波長轉換層內包括有該第一波長轉換物質及/或一第二波長轉換物質,使得該波長轉換層被該主動層所發出的波長為λ1的第一光線照射后,可發出波長為λ2的第二光線及/或波長為λ3的第三光線,且λ2>λ1,λ3>λ1。
10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構,還包括一封裝膠體,包覆該波長轉換層以及該發光二極管芯片。
11.如權利要求10所述的發光二極管封裝結構,還包括一擋墻結構,配置于該封裝基板上,該擋墻結構環繞該波長轉換層以及該發光二極管芯片,并形成一凹口,使該封裝膠體被填入該凹口中。
12.如權利要求11所述的發光二極管封裝結構,其中該封裝膠體內還包括該第一波長轉換物質及/或該第二波長轉換物質。
13.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其中該基材為藍寶石基板或碳化硅基板。
14.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其中該發光二極管芯片為藍光發光二極管芯片或紫外光發光二極管芯片。
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