[發明專利]一種有機半導體化合物的單晶薄膜及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201310397291.8
• 申請日: 2013-09-04
• 公開（公告）號: CN103436949A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 董桂芳;趙昊巖;邱勇
• 申請（專利權）人: 清華大學
• 主分類號: C30B7/06
• 分類號: C30B7/06;C30B29/54;H01L51/00
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 關暢;王春霞

1.一種有機半導體化合物的單晶薄膜的制備方法，包括如下步驟：

腔室中裝入有機半導體化合物的溶液或者將裝有所述有機半導體化合物的溶液容器放入腔室中，將基片插入所述有機半導體化合物的溶液中并固定；

控制所述腔室內的真空度使所述有機半導體化合物的溶液的有機溶劑揮發，則在所述基片上形成所述有機半導體化合物的單晶薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：利用真空泵來調控所述腔室內的真空度。

3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于：所述有機半導體化合物為具有半導體特性的n型、p型或雙極性的噻吩衍生物或芳烴。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述有機溶劑為鹵代化合物、烴類化合物、醇類化合物或脂類化合物；

所述有機溶劑在20℃和101.3kPa下的沸點為40℃～150℃，但不等于40℃或150℃。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述有機半導體化合物的溶液的濃度大于10^-5mol/L，但不超過所述有機半導體化合物在所述有機溶劑中溶劑飽和時的濃度。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述基片的表面經過表面修飾、圖案化處理、表面絕緣層制備或表面摩擦處理；

所述基片與所述有機半導體化合物的溶液的表面成0°～180°，但不等于0°或180°。

7.根據權利要求1-6中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述方法還包括對揮發的有機溶劑進行回收的步驟，通過溶劑回收裝置進行回收；

所述溶劑回收裝置為溶劑冷凝回收裝置或溶劑吸附回收裝置。

8.權利要求1-7中任一項所述方法制備的有機半導體化合物的單晶薄膜。

9.權利要求8所述的有機半導體化合物的單晶薄膜在制備有機半導體器件中的應用。

10.一種有機半導體器件，其特征在于：所述有機半導體器件的有機半導體層由權利要求8所述的有機半導體化合物的單晶薄膜制成。