[發明專利]一種GaN基發光二極管外延片及其制作方法

有效

• 申請號: 201310396504.5
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103500779A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 吉亞莉;魏世禎;陳柏松;胡加輝;謝文明
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/28;H01L33/00
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種GaN基發光二極管外延片，所述外延片包括襯底以及在所述襯底上依次生長的緩沖層、未摻雜的GaN層、n型層、多量子阱層和p型層，所述多量子阱層為多周期結構，每個周期包括InGaN量子阱層和在所述InGaN量子阱層上生長的量子壘層，其特征在于，所述量子壘層包括第一InGaN層以及在所述第一InGaN層上依次生長的AlGaN層和第二InGaN層。

2.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，每個周期的所述第一InGaN層、所述AlGaN層和所述第二InGaN層均包括多個子層，每個周期的所述第一InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞減，每個周期的所述AlGaN層中，各子層的Al組分含量從下至上先遞增后遞減，每個周期的所述第二InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞增。

3.根據權利要求1所述的外延片，其特征在于，每個周期的所述第一InGaN層、所述AlGaN層和所述第二InGaN層均包括多個子層，每個周期的所述第一InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞減，每個周期的所述AlGaN層中，各子層的Al組分含量從下至上先遞增后不變再遞減，每個周期的所述第二InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞增。

4.根據權利要求2或3所述的外延片，其特征在于，每個周期的所述第一InGaN層和所述第二InGaN層中，各子層的In組分含量均為0～0.1，每個周期的所述AlGaN層中，各子層的Al組分含量均為0～0.18。

5.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，各周期的所述AlGaN層中，具有最大Al組分含量的子層的Al組分含量從下至上遞減。

6.根據權利要求4所述的外延片，其特征在于，各周期的所述AlGaN層中，具有最大Al組分含量的子層的Al組分含量從下至上先遞增后遞減。

7.根據權利要求2所述的外延片，其特征在于，每個周期的所述量子壘層中，所述第一InGaN層的厚度為1～4nm，所述第二InGaN層的厚度為1～4nm。

8.一種GaN基發光二極管外延片的制作方法，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上依次生長緩沖層、未摻雜的GaN層、n型層；

在所述n型層上生長多量子阱層，所述多量子阱層為多周期結構，每個周期包括InGaN量子阱層和在所述InGaN量子阱層上生長的量子壘層；

在所述多量子阱層上生長p型層，

其特征在于，生長每個周期的所述量子壘層，包括：

生長第一InGaN層；

在所述第一InGaN層上依次生長AlGaN層和第二InGaN層。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，每個周期的所述第一InGaN層、所述AlGaN層和所述第二InGaN層均包括多個子層，每個周期的所述第一InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞減，每個周期的所述AlGaN層中，各子層的Al組分含量從下至上先遞增后遞減，每個周期的所述第二InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞增。

10.如權利要求8所述的方法，其特征在于，每個周期的所述第一InGaN層、所述AlGaN層和所述第二InGaN層均包括多個子層，每個周期的所述第一InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞減，每個周期的所述AlGaN層中，各子層的Al組分含量從下至上先遞增后不變再遞減，每個周期的所述第二InGaN層中，各子層的In組分含量從下至上遞增。