[發(fā)明專利]固態(tài)成像裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310396144.9 | 申請(qǐng)日： | 2013-09-04 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103685998B | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 小林昌弘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H04N5/374 | 分類號(hào)： | H04N5/374 |
| 代理公司： | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人： | 袁玥 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 固態(tài) 成像 裝置 | ||
1.一種固態(tài)成像裝置，包括：
第一光電轉(zhuǎn)換單元和第二光電轉(zhuǎn)換單元，被配置成通過光電轉(zhuǎn)換生成電荷；第二光電轉(zhuǎn)換單元被布置為在第一方向上與第一光電轉(zhuǎn)換單元相鄰；
隔離部，被配置成將第一光電轉(zhuǎn)換單元和第二光電轉(zhuǎn)換單元隔離開；
第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)和第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
第一傳輸晶體管，被配置成將通過第一光電轉(zhuǎn)換單元生成的電荷傳輸給第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
第二傳輸晶體管，被配置成將通過第二光電轉(zhuǎn)換單元生成的電荷傳輸給第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
公共柵極，針對(duì)第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管兩者被布置，并且所述公共柵極的較長(zhǎng)軸在第一方向上；
第一放大晶體管，被配置為放大基于第一浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的電壓的信號(hào)；
第二放大晶體管，被配置為放大基于第二浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)的電壓的信號(hào)；
第一信號(hào)輸出線，被配置為傳輸來自第一放大晶體管的信號(hào)；
第二信號(hào)輸出線，被配置為傳輸來自第二放大晶體管的信號(hào)；
一條傳輸控制線，被配置成向第一和第二傳輸晶體管供給傳輸脈沖并且向著第一方向延長(zhǎng)；
一個(gè)觸點(diǎn)，被配置成連接所述公共柵極與所述一條傳輸控制線，
一個(gè)微透鏡，由第一光電轉(zhuǎn)換單元和第二光電轉(zhuǎn)換單元共享，其中：
第一和第二傳輸晶體管是相對(duì)于所述隔離部對(duì)稱地布置的；
所述觸點(diǎn)是布置在從所述隔離部起的延長(zhǎng)線上的；并且
利用基于在第一光電轉(zhuǎn)換單元中生成的電荷的信號(hào)，和基于在第二光電轉(zhuǎn)換單元中生成的電荷的信號(hào)，進(jìn)行焦點(diǎn)檢測(cè)。
2.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，
其中所述一條傳輸控制線被布置在所述公共柵極上。
3.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，
其中傳輸脈沖從傳輸控制線被提供給第一傳輸晶體管的路徑的寄生電容和寄生電阻的值等于傳輸脈沖從傳輸控制線被提供給第二傳輸晶體管的路徑的寄生電容和寄生電阻的值。
4.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，
其中所述公共柵極具有第一邊緣、第二邊緣和第三邊緣，第一邊緣位于所述公共柵極的中心，第二邊緣位于所述公共柵極的左側(cè)，第三邊緣位于所述公共柵極的右側(cè)，第一邊緣比第二邊緣和第三邊緣更靠近所述一條傳輸控制線。
5.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，還包括：
第三光電轉(zhuǎn)換單元，被配置成通過光電轉(zhuǎn)換生成電荷；
第四光電轉(zhuǎn)換單元，被配置成通過光電轉(zhuǎn)換生成電荷；
第三浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
第四浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
第三傳輸晶體管，被配置成將通過第三光電轉(zhuǎn)換單元生成的電荷傳輸給第三浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；和
第四傳輸晶體管，被配置成將通過第四光電轉(zhuǎn)換單元生成的電荷傳輸給第四浮動(dòng)擴(kuò)散區(qū)；
其中第一～第四光電轉(zhuǎn)換單元由隔離部隔離，并且
第一～第四傳輸晶體管是相對(duì)于隔離部對(duì)稱地布置的。
6.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，
其中第一和第二光電轉(zhuǎn)換單元中的每一個(gè)包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域，電荷能夠累積在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域中，和
隔離部包括第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體區(qū)域。
7.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，
其中隔離部的位壘的高度低于在所述公共柵極之下的第一和第二傳輸晶體管的區(qū)域的位壘的高度。
8.按照權(quán)利要求1所述的固態(tài)成像裝置，
其中傳輸脈沖使第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管在相同的定時(shí)，從關(guān)斷電平轉(zhuǎn)變到導(dǎo)通電平，并在過去預(yù)定時(shí)間段之后，所述脈沖使所述第一傳輸晶體管和第二傳輸晶體管在相同的定時(shí)從導(dǎo)通電平轉(zhuǎn)變到關(guān)斷電平。
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