[發(fā)明專利]基于RFID技術(shù)的TD-LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310395591.2
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103619028B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王永剛
• 申請（專利權(quán)）人: 珠海銀郵光電技術(shù)發(fā)展股份有限公司;珠海銀郵光電信息工程有限公司
• 主分類號: H04W16/20
• 分類號: H04W16/20;H04W24/02;H04W52/00
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務(wù)所44291
• 代理人: 楊煥軍,閆有幸

1.一種基于RFID技術(shù)的TD－LTE單雙流室分監(jiān)控系統(tǒng)，包括主機(jī)及終端覆蓋天線；其特征在于：所述主機(jī)包括讀卡器芯片、數(shù)控衰減器、發(fā)射鏈路、環(huán)形器、主集端口、分集端口、兩級放大器、二級電子開關(guān)及接收鏈路；讀卡器芯片的輸出連接數(shù)控衰減器，數(shù)控衰減器經(jīng)發(fā)射鏈路連接環(huán)形器的輸入，環(huán)形器的輸出接主集端口，主集端口通過多頻合路器與TD-LTE主集信號合路進(jìn)入TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)，分集端口通過多頻合路器與TD-LTE分集信號合路后進(jìn)入TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)；二級電子開關(guān)用于將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，或者用于將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入；終端覆蓋天線包括TD-LTE主集信號覆蓋天線、TD-LTE分集信號覆蓋天線及集成于雙極化天線之間的窄帶RFID射頻標(biāo)簽，TD-LTE主集信號覆蓋天線感應(yīng)接收TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)傳輸?shù)腞FID信號，窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射RFID信號，TD-LTE分集信號覆蓋天線將反射的RFID信號傳給TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)。?

2.一種基于權(quán)利要求1所述監(jiān)控系統(tǒng)的單流室分監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟：?

（1）將二級電子開關(guān)切換為將環(huán)形器的隔離端連接接收鏈路，監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)進(jìn)入單流工作模式；?

（2）監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)步進(jìn)逐漸增加RFID信號發(fā)射功率，當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議的窄帶RFID射頻標(biāo)簽時(shí)，記錄監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)發(fā)射功率P_RFID；?

（3）監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)發(fā)射功率P_RFID到達(dá)窄帶RFID射頻標(biāo)簽的路徑損耗包含以下幾部分：TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_main、終端覆蓋天線內(nèi)部TD-LTE主集信號覆蓋天線（垂直極化天線）到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳出損耗L_v（天線設(shè)計(jì)完成后此參數(shù)為已知確定），綜合考慮窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度S，可以得出以下結(jié)果：?

P_RFID－L_main－L_v＝S?

因此：?

通過公示L_main＝P_RFID－S－L_v，計(jì)算得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_main，其中，S為窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度、L_v為RFID信號從TD-LTE主集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗；進(jìn)而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主?機(jī)檢測得到的TD-LTE主集下行信號強(qiáng)度P_main及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_main，得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強(qiáng)度。

3.一種基于權(quán)利要求1所述監(jiān)控系統(tǒng)的雙流室分監(jiān)控方法，其特征在于，包括以下步驟：?

（1）、RFID天饋線監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)切換為將分集端口通過兩級放大器連接讀卡器芯片的輸入，進(jìn)入雙流工作模式；?

（2）、監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)通過主集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)步進(jìn)逐漸增加RFID信號發(fā)射功率；通過分集室內(nèi)分布覆蓋網(wǎng)絡(luò)接收窄帶RFID射頻標(biāo)簽反射回來的RFID信號；當(dāng)查詢到滿足系統(tǒng)協(xié)議窄帶RFID射頻標(biāo)簽時(shí)，記錄此時(shí)監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)發(fā)射功率P_RFID；?

（3）、根據(jù)公式L_main＝P_RFID－S－L_v，計(jì)算得到TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_main，其中，S為窄帶RFID射頻標(biāo)簽靈敏度、L_v為RFID信號從TD-LTE主集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗；進(jìn)而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)檢測得到的TD-LTE主集下行信號強(qiáng)度P_main及TD-LTE主集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_main，得到TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強(qiáng)度；?

同時(shí)，根據(jù)公式L_mimo＝P_RFID－L_main－L_v－L_loss－L_h－S_mimo，計(jì)算得到TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_mimo，其中，L_loss為窄帶RFID射頻標(biāo)簽芯片吸收部分能量導(dǎo)致的信號衰減，L_h為TD-LTE分集信號覆蓋天線到窄帶RFID射頻標(biāo)簽之間的傳輸損耗，S_mimo為分集端口的靈敏度；進(jìn)而根據(jù)監(jiān)控系統(tǒng)主機(jī)檢測得到的TD-LTE分集下行信號強(qiáng)度P_mimo及TD-LTE分集覆蓋網(wǎng)絡(luò)的傳輸損耗L_mimo，得到TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強(qiáng)度；?

（4）、通過比較TD-LTE主集信號覆蓋天線端口的下行信號強(qiáng)度與TD-LTE分集信號覆蓋天線端口的下行信號強(qiáng)度，得到終端覆蓋天線功率的不平衡性。?