[發明專利]用于晶圓密封環的方法和裝置

在審

• 申請號: 201310395517.0
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103972144A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 鄧伊筌;彭榮輝;蔡尚穎;黃信錠;洪麗閔;黃耀德;卓晉逸
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/76
• 分類號: H01L21/76;H01L21/02
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種方法，包括：

在第一晶圓的管芯區域中，在所述第一晶圓上形成多個第一管芯；

在所述第一晶圓上形成多個第一管芯接合環，所述多個第一管芯接合環具有第一寬度和第一間隔；以及

在所述第一晶圓的密封環區域中，在所述第一晶圓上形成第一晶圓密封環，所述第一晶圓密封環包括多條具有第二寬度和第二間隔的線，其中所述多個第一管芯接合環的第一寬度和第一間隔的截面約等于所述第一晶圓密封環的第二寬度和第二間隔的截面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個第一管芯接合環形成為具有第一高度并且所述第一晶圓密封環形成為具有第二高度，所述第一高度約等于第二高度。

3.一種方法，包括：

在基本上整個第一晶圓上形成多個第一管芯；

在所述第一晶圓上形成多個第一管芯接合環，所述多個第一管芯接合環具有第一寬度和第一間隔；以及

在基本上整個所述第一晶圓上形成第一晶圓密封環，所述第一晶圓密封環包括多條具有第二寬度和第二間隔的線，其中所述多個第一管芯接合環的第一寬度的截面約等于所述第一晶圓密封環的第二寬度的截面。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，沿所述第一晶圓的多條劃線形成所述第一晶圓密封環。

5.一種方法，包括：

在第一晶圓上形成第一晶圓密封環，所述第一晶圓密封環具有多條第一線，所述多條第一線具有第一寬度和第一間隔；

在第二晶圓上形成第二晶圓密封環，所述第二晶圓密封環具有多條第二線，所述多條第二線具有第二寬度和第二間隔，所述第二寬度和所述第二間隔約等于所述第一寬度和所述第一間隔；

將所述第一晶圓對準至所述第二晶圓；以及

將所述第一晶圓接合至所述第二晶圓。

6.根據權利要求5所述的方法，所述接合進一步包括：

對所述第一晶圓和所述第二晶圓施加壓力。

7.根據權利要求5所述的方法，所述接合進一步包括：

對所述第一晶圓和所述第二晶圓施加熱。

8.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一晶圓密封環的多條第一線的第一寬度和第一間隔的截面約等于所述第一晶圓上的管芯接合環的寬度和間隔的截面。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述多條第一線形成的高度約等于所述第一晶圓上的管芯接合環的高度。

10.根據權利要求5所述的方法，其中，所述第一晶圓密封環的多條第一線交叉成正方形圖案。