[發(fā)明專利]原子層沉積裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310395120.1
• 申請日: 2013-09-03
• 公開（公告）號: CN103668110A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 全鎣卓;崔鶴永;申錫潤;樸炷泫;咸基熱
• 申請（專利權(quán)）人: 麗佳達(dá)普株式會社
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 姜虎;陳英俊

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及原子層沉積裝置，更具體地涉及一種分開形成用于供給氣體的供給管和用于吸入氣體的吸氣管，從而可獨立調(diào)節(jié)氣體供給或吸氣，不僅能夠減少氣體使用量，還減少工藝時間的原子層沉積裝置。

背景技術(shù)

通常，制造半導(dǎo)體元件或平板顯示裝置等時需要經(jīng)過各種制造工藝，其中，在晶片或玻璃等基板上沉積所需薄膜的工藝是必不可少的。

這種薄膜沉積工藝主要采用噴濺涂覆法(Sputtering)、化學(xué)氣相沉積法（CVD、Chemical?Vapor?Deposition）、原子層沉積法（ALD、Atomic?Layer?Deposition）等。

其中，原子層沉積（Atomic?Layer?Deposition）法是利用單原子層的化學(xué)吸附及解吸的納米級薄膜沉積技術(shù)，單獨分離各反應(yīng)物質(zhì)而以脈沖形式供給腔室，從而利用反應(yīng)物質(zhì)在基板表面的表面飽和（surface?saturation）反應(yīng)進行化學(xué)吸附及解吸的新概念的薄膜沉積技術(shù)。

現(xiàn)有的原子層沉積技術(shù)在沉積工藝過程中需要保持真空狀態(tài)，因此，需要用于維護、管理該真空狀態(tài)的輔助設(shè)備，但工藝時間變長，從而導(dǎo)致生產(chǎn)率下降。

此外，可以實現(xiàn)真空的空間有限，所以存在不適用于追求大面積、大型化的顯示器行業(yè)的問題。

不僅如此，現(xiàn)有技術(shù)涉及的原子層沉積裝置僅限安裝在真空腔室內(nèi)，因此在常壓下動作時也不能單獨控制氣體的供給和吸入，或減少氣體使用量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種能夠簡化氣體供給及吸氣結(jié)構(gòu)的原子層沉積裝置。

本發(fā)明提供一種能夠獨立控制氣體供給和氣體吸入且能夠減少所使用的氣體量的原子層沉積裝置。

本發(fā)明提供一種能夠減少沉積原子層的基板的軌跡而提高產(chǎn)量的原子層沉積裝置。

為了實現(xiàn)所述目的的本發(fā)明的一實施例涉及的原子層沉積裝置，包括供氣管和吸氣管，該供氣管具備：供給管體，在其內(nèi)部沿長度方向形成有供給氣體的供氣流道；排氣部，沿所述供給管體的長度方向形成于所述供給管體，并與所述供氣流道連通；該吸氣管具備：吸入管體，在其內(nèi)部沿長度方向形成有吸入氣體的吸氣流道；吸氣部，沿所述吸入管體的長度方向形成于吸入管體，并與所述吸氣流道連通；所述供氣管和所述吸氣管可以在與基板對所述供氣管和所述吸氣管的相對運動方向交叉的方向上，彼此分開形成。

通過分開供氣管和吸氣管，能夠容易實現(xiàn)用于供給或吸入在原子層沉積工藝中所使用的各種氣體的管（或管道）的結(jié)構(gòu)，能夠提高產(chǎn)量（throughput）。

所述排氣部可以包括沿所述供給管體的長度方向形成的多個排出孔或狹縫。

在所述多個排出孔中，位于所述供給管體中間部分的排出孔可以比位于所述供給管體兩端的排出孔大。

在所述多個排出孔中，位于所述供給管體中間部分的排出孔之間的間距可以比位于所述供給管體兩端側(cè)的排出孔之間的間距小。

位于所述供給管體兩端側(cè)的所述狹縫的寬度，可以比位于所述供給管體中間部分的所述狹縫的寬度小。

所述排出孔或所述狹縫可以具有向所述供給管體的外部擴展的形狀。

所述吸氣管可以包括吸入引導(dǎo)構(gòu)件，該吸入引導(dǎo)構(gòu)件以向所述吸入管體的外部延伸的方式形成在所述吸氣部，所述吸入引導(dǎo)構(gòu)件可以具有向所述吸入管體的外部擴展的形狀。

所述吸入引導(dǎo)構(gòu)件的下端與所述排氣部的下端可以設(shè)置在同一高度。

所述供氣管可以包括氣閥，該氣閥可旋轉(zhuǎn)地設(shè)在所述供給管體的內(nèi)表面，用于連通或切斷所述供氣流道與所述排氣部。

所述氣閥可以包括沿所述供氣管的長度方向形成的開放部。

所述供氣管可以包括用于供給源氣體的供氣管和用于供給反應(yīng)氣體的供氣管，所述吸氣管配置在供給源氣體的供氣管與供給反應(yīng)氣體的供氣管之間，沿所述基板對所述供氣管和所述吸氣管的相對運動方向，在最外側(cè)配置所述供氣管，所述供氣管和所述吸氣管沿所述基板的相對運動方向?qū)ΨQ地配置。

所述供氣管包括用于供給吹掃氣體的供給管，供給吹掃氣體的供給管可以配置在用于供給源氣體或反應(yīng)氣體的供氣管與所述吸氣管之間。

包括用于加熱所述基板表面的加熱部，所述加熱部可以配置在基板對所述供氣管和所述吸氣管的相對運動方向上的所述供氣管之前。

包括用于加熱所述基板表面的常壓等離子體發(fā)生器，所述常壓等離子體發(fā)生器可以配置在基板對所述供氣管和所述吸氣管的相對運動方向上的所述供氣管之前，或者配置在所述吸氣管之間。

所述供氣管和所述吸氣管可分別在常壓下供給和吸入氣體。