[發明專利]一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法在審
| 申請號: | 201310394650.4 | 申請日: | 2013-09-03 |
| 公開(公告)號: | CN104425649A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 趙彥民;張嘉偉;楊立;楊亦桐;王勝利;李薇;喬在祥 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第十八研究所 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人: | 李鳳 |
| 地址: | 300384 天津*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一步法 吸收 層后摻鈉 柔性 太陽電池 制備 方法 | ||
1.一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法,其特征在于:包括以下制備步驟:
步驟1.制備聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底;
步驟2.在剛性復合襯底的聚酰亞胺膜上制備后摻鈉柔性太陽電池;制備過程包括:在步驟1的聚酰亞胺膜上依次制備Mo背接觸層、銅銦鎵硒吸收層、氟化鈉預置層、硫化鎘緩沖層、透明窗口層和上電極;制有背接觸層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中;將硒化爐抽真空,剛性復合襯底溫度為550-580℃時,共蒸發Cu、In、Ga、Se,其中Cu蒸發源溫度為1120-1160℃,In蒸發源溫度為850-900℃,Ga蒸發源溫度為880-920℃,Se蒸發源溫度為240-280℃,蒸發時間為25-30min;關閉蒸發源,剛性復合襯底冷卻到25℃時,背接觸層上形成1.5-2μm厚的p-CIGS薄膜,即為銅銦鎵硒吸收層;所述氟化鈉預置層的制備過程包括:制有銅銦鎵硒吸收層的剛性復合襯底置于薄膜制備系統的硒化爐中,將硒化爐抽真空,襯底溫度為200-300℃,NaF蒸發源的溫度達到800-850℃時,蒸發1-2min;襯底溫度達到400-450℃,在Se氣氛下進行退火,其中Se蒸發源的溫度為240-280℃,退火時間為20-30min;銅銦鎵硒吸收層上形成氟化鈉預置層。
步驟3.將聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離,完成剛性襯底制備一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
2.根據權利要求1所述的一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法,其特征在于:步驟1中剛性復合襯底的制備過程包括:
⑴對蘇打玻璃進行表面清洗;
⑵將聚酰亞胺膠均勻涂覆于蘇打玻璃表面,形成聚酰亞胺預制膜;
⑶將涂有聚酰亞胺預制膜的蘇打玻璃放入烘箱內進行固化,即得到聚酰亞胺膜-蘇打玻璃構成的剛性復合襯底。
3.根據權利要求1所述的一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的制備方法,其特征在于:步驟3中聚酰亞胺膜與蘇打玻璃分離過程包括:
⑴將制有一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的剛性復合襯底放入真空烘箱,加熱至80-90℃,持續2-3min;
⑵將剛性復合襯底取出蘸入零下100℃的液氮后,自然回復至室溫,聚酰亞胺膜自動從蘇打玻璃上脫落,完成剛性襯底制備一步法吸收層后摻鈉柔性太陽電池的過程。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





