[發(fā)明專利]應用于高速并行光傳輸?shù)拇篑詈蠈嗜莶畎雽w激光芯片及其光電器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310394129.0 | 申請日： | 2013-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN103457156A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 胡朝陽 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州海光芯創(chuàng)光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/187 | 分類號： | H01S5/187;H01S5/20 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人： | 陸明耀;陳忠輝 |
| 地址： | 215021 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 應用于 高速 并行 傳輸 耦合 對準 半導體 激光 芯片 及其 光電 器件 | ||
1.應用于高速并行光傳輸?shù)拇篑詈蠈嗜莶畎雽w激光芯片，設(shè)置于襯底上，其特征在于：所述芯片由半導體有源區(qū)及半導體無源區(qū)構(gòu)成，所述有源區(qū)上設(shè)置有半導體激光器，所述有源區(qū)的電極上連接有激光驅(qū)動和調(diào)制器，所述半導體無源區(qū)由無源光波導構(gòu)成。
2.如權(quán)利要求1所述的應用于高速并行光傳輸?shù)拇篑詈蠈嗜莶畎雽w激光芯片，其特征在于：所述半導體激光器為分布式布拉格反射半導體激光器、電吸收調(diào)制激光器或法布里-珀羅激光器。
3.如權(quán)利要求1所述的應用于高速并行光傳輸?shù)拇篑詈蠈嗜莶畎雽w激光芯片，其特征在于：所述大耦合對準容差半導體激光芯片為單片集成。
4.應用如權(quán)利要求1所述的應用于高速并行光傳輸?shù)拇篑詈蠈嗜莶畎雽w激光芯片的光電器件，其特征在于：所述光電器件內(nèi)設(shè)置有應用于高速并行光傳輸?shù)拇篑詈蠈嗜莶畎雽w激光芯片，所述光電器件傳輸速率為100Gb/s或400Gb/s。
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