[發明專利]三維電極圖形制作方法有效
| 申請號： | 201310393450.7 | 申請日： | 2013-09-03 |
| 公開（公告）號： | CN103407959A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 林丙濤 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第二十六研究所 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 400060 *** | 國省代碼： | 重慶;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 三維 電極 圖形 制作方法 | ||
1.一種三維電極圖形制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基片正面分別制作圖形化掩膜層和圖形化光刻膠，所述圖形化光刻膠形成于所述圖形化掩膜層上；
蝕刻所述基片形成凹槽結構；
腐蝕所述圖形化掩膜層；
依次沉積電極膜層和保護膜金屬圖層,所述圖形化掩膜層和所述電極膜層材料相同；
剝離所述圖形化光刻膠以及所述圖形化光刻膠上面沉積的電極膜層和保護膜金屬圖層；以及
腐蝕所述圖形化掩膜層得到三維電極圖形。
2.根據權利要求1所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述在基片正面分別制作圖形化掩膜層和圖形化光刻膠的步驟包括；
在基片正面沉積掩膜圖層；
正面甩光刻膠并光刻顯影；
腐蝕所述掩膜圖層得到掩膜圖形；以及
去除光刻膠后重新甩光刻膠并光刻顯影。
3.根據權利要求1所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述圖形化掩膜層和所述電極膜層材料分別包括兩層金屬材料膜層，所述電極膜層的下層金屬膜層作為粘結層，上層金屬膜層作為導電層。
4.根據權利要求1所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述腐蝕所述圖形化掩膜層得到三維電極圖形的步驟中，用于腐蝕所述圖形化掩膜層的腐蝕液不能腐蝕所述保護膜金屬圖層。
5.根據權利要求1所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，還包括去除所述保護膜金屬圖層的步驟，且用于腐蝕所述保護膜金屬圖層的腐蝕液不能腐蝕所述圖形化掩膜層。
6.根據權利要求1所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述蝕刻所述基片形成凹槽結構的步驟采用干法蝕刻或濕法蝕刻。
7.根據權利要求1所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述凹槽結構的截面圖形為三角形、矩形、梯形或者多邊形。
8.一種三維電極圖形制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
在基片正面分別制作圖形化掩膜層和圖形化光刻膠，所述圖形化光刻膠形成于所述圖形化掩膜層上；
蝕刻所述基片形成凹槽結構；
腐蝕所述圖形化掩膜層；
沉積電極膜層，所述圖形化掩膜層和所述電極膜層材料不同；
剝離所述圖形化光刻膠以及所述圖形化光刻膠上面沉積的電極膜層；以及
腐蝕所述圖形化掩膜層得到三維電極圖形。
9.根據權利要求8所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述圖形化掩膜層為單層材料層。
10.根據權利要求8所述的三維電極圖形制作方法，其特征在于，所述在基片正面分別制作圖形化掩膜層和圖形化光刻膠的步驟包括；
在基片正面沉積掩膜圖層；
正面甩光刻膠并光刻顯影；
腐蝕所述掩膜圖層得到掩膜圖形；以及
去除光刻膠后重新甩光刻膠并光刻顯影。
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