[發明專利]CVD前體有效
| 申請號： | 201310392992.2 | 申請日： | 2009-08-11 |
| 公開（公告）號： | CN103467506A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發明（設計）人： | 周曉兵 | 申請（專利權）人： | 陶氏康寧公司 |
| 主分類號： | C07F7/10 | 分類號： | C07F7/10;C23C16/30;C23C16/34;C23C16/36;C23C16/40;C23C16/455;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孫征 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cvd | ||
【權利要求書】：
1.一種二氨基硅雜環丁烷，選自二(乙氨基)硅雜環丁烷和二(吡咯烷基)硅雜環丁烷。
2.一種組合物，包括權利要求1所述的二(乙氨基)硅雜環丁烷。
3.一種組合物，包括權利要求1所述的二(吡咯烷基)硅雜環丁烷。
4.一種用于生產權利要求1所述的二(乙氨基)硅雜環丁烷的工藝，包括將1,1-二氯硅雜環丁烷與過量的乙胺反應。
5.一種用于生產權利要求1所述的二(吡咯烷基)硅雜環丁烷的工藝，包括將1,1-二氯硅雜環丁烷與過量的吡咯烷反應。
6.權利要求1所述的二(乙氨基)硅雜環丁烷作為低溫沉積含硅膜的前體的應用。
7.權利要求1所述的二(吡咯烷基)硅雜環丁烷作為低溫沉積含硅膜的前體的應用。
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