[發明專利]Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法

有效

• 申請號: 201310392230.2
• 申請日: 2013-09-02
• 公開（公告）號: CN104425224B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 張君
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033;H01L33/20
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 彭瑞欣,張天舒

1.一種Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，包括下步驟：

光刻膠沉積步驟，在鎵化合物外延層表面沉積光刻膠；

光刻膠曝光步驟，對光刻膠進行曝光；

光刻膠顯影步驟，對已曝光的光刻膠進行顯影，以形成圖形；

掩膜蒸鍍步驟，在光刻膠表面上以及未被所述光刻膠覆蓋的鎵化合物外延層表面上蒸鍍至少一層隔離層，之后在所述隔離層表面上再蒸鍍至少一層金屬層；其中，所述隔離層采用可防止所述金屬層的金屬材料擴散至所述鎵化合物外延層以及防止等離子體在所述鎵化合物外延層上形成負偏壓的材料制作；所述金屬層采用可提高掩膜層與鎵化合物外延層的刻蝕選擇比的材料制作；

光刻膠剝離步驟，剝離光刻膠及其上的隔離層和金屬層，只保留蒸鍍在鎵化合物外延層表面上的隔離層和金屬層作為掩膜層。

2.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，在所述掩膜蒸鍍步驟中，所述隔離層的材料包括摻錫氧化銦。

3.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，在所述掩膜蒸鍍步驟中，所述金屬層的材料包括鎳或鉻。

4.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，在所述掩膜蒸鍍步驟中，采用電子束蒸發工藝先后蒸鍍所述隔離層和金屬層。

5.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，所述光刻膠剝離步驟中，采用堿性液體將光刻膠及其上的隔離層和金屬層剝離。

6.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，在所述掩膜剝離步驟之后，還包括下述步驟：

鎵化合物外延層刻蝕步驟，將由所述隔離層和金屬層組成的掩膜層作為掩膜版刻蝕鎵化合物外延層，以將所述掩膜層的圖形復制到鎵化合物外延層上。

7.如權利要求6所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，在所述鎵化合物外延層刻蝕步驟之后，還包括下述步驟：

掩膜剝離步驟，剝離殘留在鎵化合物外延層表面上的掩膜層。

8.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，所述鎵化合物外延層的材料包括氮化鎵或砷化鎵。

9.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，所述Ⅲ族化合物襯底的材料包括三氧化二鋁。

10.如權利要求1所述的Ⅲ族化合物襯底的掩膜層制備方法，其特征在于，在所述光刻膠曝光步驟中，借助光刻機和掩膜版對光刻膠進行曝光。