[發(fā)明專利]掩膜版及顯微鏡讀取關(guān)鍵尺寸的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310392104.7 | 申請日: | 2013-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN104423145B | 公開(公告)日: | 2019-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 宋秀海 | 申請(專利權(quán))人: | 北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/44 | 分類號: | G03F1/44;G03F1/84 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;黃燦 |
| 地址: | 100871 北京市海淀*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 掩膜版 顯微鏡 讀取 關(guān)鍵 尺寸 方法 | ||
1.一種掩膜版,其特征在于,所述掩膜版上具有多組待測圖形單元,所述待測圖形單元包括第一圖形和第二圖形;
所述第一圖形和第二圖形上分別設(shè)置有一個待測基準(zhǔn)點,在掩膜版上的圖形復(fù)制到半導(dǎo)體芯片上時,根據(jù)所述待測圖形單元中重合的兩個特定基準(zhǔn)點對應(yīng)的兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離獲取關(guān)鍵尺寸的變化值,所述重合的兩個特定基準(zhǔn)點為所述第一圖形和第二圖形上分別設(shè)置的一個待測基準(zhǔn)點在復(fù)制過程中形成的;
所述多組待測圖形單元中兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離各不相同;
所述多組待測圖形單元中兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離集合構(gòu)成一組等差數(shù)列;且所述等差數(shù)列的初始值a0= 0,公差d的絕對值為關(guān)鍵尺寸的最小變化值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述等差數(shù)列的公差d> 0,使得所述第一圖形和第二圖形在兩個待測基準(zhǔn)點處錯開。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述等差數(shù)列的公差d< 0,使得所述第一圖形和第二圖形在兩個待測基準(zhǔn)點處交疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的掩膜版,其特征在于,所述第一圖形和第二圖形為矩形;所述待測基準(zhǔn)點為矩形的一個頂點;
所述待測圖形單元中,所述兩個待測基準(zhǔn)點所在的寬位于同一直線上;且所述第一圖形和第二圖形錯開設(shè)置,所述兩個待測基準(zhǔn)點為所述第一圖形和第二圖形不同側(cè)且相鄰的兩個頂點。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩膜版,其特征在于,所述第一圖形和第二圖形位于所述直線的兩側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩膜版,其特征在于,所述多組待測圖形單元中的所有待測基準(zhǔn)點位于同一直線上,根據(jù)所述待測圖形單元中兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離和相鄰兩組待測圖形單元在所述直線上的間隔距離來獲取關(guān)鍵尺寸的變化值。
7.一種顯微鏡讀取關(guān)鍵尺寸的方法,其特征在于,包括:
步驟100、利用顯微鏡讀取半導(dǎo)體芯片上特定圖形單元中重合的兩個特定基準(zhǔn)點,其中,所述特定圖形單元為權(quán)利要求1-6任一項所述的掩膜版上的待測圖形單元復(fù)制到半導(dǎo)體芯片上的圖案,所述兩個特定基準(zhǔn)點分別對應(yīng)所述待測圖形單元中的兩個待測基準(zhǔn)點;
步驟101、根據(jù)所述兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離獲取關(guān)鍵尺寸的變化值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述掩膜版上的第一圖形和第二圖形為矩形;所述待測基準(zhǔn)點為矩形的一個頂點;
所述待測圖形單元中,所述兩個待測基準(zhǔn)點所在的寬位于同一直線上;且所述第一圖形和第二圖形錯開設(shè)置,所述兩個待測基準(zhǔn)點為所述第一圖形和第二圖形不同側(cè)且相鄰的兩個頂點;
步驟101具體為:
獲取與重合的兩個特定基準(zhǔn)點對應(yīng)的兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離,則關(guān)鍵尺寸的變化值為所述距離的一半。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法,其特征在于,所述掩膜版上的所有待測基準(zhǔn)點位于同一直線上;
步驟100具體為:
利用顯微鏡讀取半導(dǎo)體芯片上兩個特定基準(zhǔn)點重合的特定圖形單元或間隔距離為0的相鄰兩組特定圖形單元;
步驟101具體為:
獲取掩膜版上與所述重合的兩個特定基準(zhǔn)點對應(yīng)的兩個待測基準(zhǔn)點之間的距離或與所述相鄰兩組特定圖形單元對應(yīng)的兩組待測圖形單元的間隔距離,則關(guān)鍵尺寸的變化值為所述距離的一半。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司,未經(jīng)北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310392104.7/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





