[發明專利]一種過溫過流保護元件用導電膠及其制作方法有效
| 申請號: | 201310391794.4 | 申請日: | 2013-09-02 |
| 公開(公告)號: | CN103436197A | 公開(公告)日: | 2013-12-11 |
| 發明(設計)人: | 南式榮;劉明龍 | 申請(專利權)人: | 南京薩特科技發展有限公司 |
| 主分類號: | C09J9/02 | 分類號: | C09J9/02;C09J163/00;C09J183/04;C09J179/08;C09J161/06;C09J175/04;C09J133/00;H01M2/34 |
| 代理公司: | 南京鐘山專利代理有限公司 32252 | 代理人: | 戴朝榮 |
| 地址: | 210049 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 保護 元件 導電 及其 制作方法 | ||
1.一種過溫過流保護元件用導電膠,由基體樹脂和導電填料組成,其特征在于:所述基體樹脂為環氧樹脂、有機硅樹脂、聚酰亞胺樹脂、酚醛樹脂、聚胺酯、丙烯酸樹脂體系中的至少一種;所述導電填料為金、銀、銅、鋁、鎳金屬的粉末或石墨導電化合物中的至少一種。
2.如權利要求1所述的過溫過流保護元件用導電膠,其特征在于:導電填料為表層鍍銀的低熔點合金金屬粉末,其平均粒度為4μm~20μm,加入量按重量比為50wt%~80wt%。
3.如權利要求2所述的過溫過流保護元件用導電膠,其特征在于:所述低熔點合金為熔點在120℃~220℃之間的錫-銅合金、錫-銀-銅合金、錫-鉍合金、錫-鉍-銀合金、錫-銦合金中的一種。
4.一種過溫過流保護元件用導電膠的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
所有原料的加入比例均是以低熔點合金粉重量為基準計算;
a、將平均粒度為4μm~20μm的低熔點合金粉置入3wt%~15wt%濃度的堿溶液中進行堿洗,然后水洗3~5遍至中性,再進行過濾、烘干;
b、將步驟a中得到的合金粉置入0.2wt%~3wt%濃度的弱酸溶液中進行酸洗,然后經水洗3~5遍至中性后再用丙酮沖洗一遍,最后過濾、烘干備用;
c、按照低熔點合金粉重量的10%~35%配比稱取銀基前驅體,并加去離子水溶解,再加入上述低熔點合金粉重量的6%~25%的胺類絡合劑,胺類絡合劑為乙二胺、二乙烯三胺、多元醇胺等中的一種,制備得銀胺溶液;
d、以低熔點合金粉重量為基準,取0.1%~5%的分散劑、0.4%~20%的還原劑,1%~25%的添加劑,加入到10%~30%的去離子水中,配制成還原溶液;
e、將步驟b得到的低熔點合金粉置入步驟d得到的還原溶液中,然后加入步驟c得到的銀胺溶液,攪拌均勻,再加入氫氧化鈉或氨水調節溶液pH值至12~14,反應1~8小時,再經清洗、離心過濾,制備得到鍍銀低熔點合金粉末;
f、在攪拌的條件下,將步驟e得到的鍍銀低熔點合金粉置于含有1wt%~3wt%表面活性劑的乙醇溶液中,攪拌10min~30min,抽濾、清洗干凈后,用丙酮脫水,經60℃真空干燥后得到需要的鍍銀低熔點合金粉;
g、以低熔點合金粉重量為基準,在0.5%~5%的促進劑中滴加2~6%的稀釋劑,攪拌5min~15min后加入1%~10%的銀基前驅體,在25℃~35℃下超聲分散20min~40min;
h、以低熔點合金粉重量為基準,往步驟g得到的混合液中依次添加25%~55%的基體樹脂、2%~10%的固化劑,混合攪拌均勻后,再加入步驟f得到的鍍銀低熔點合金粉末和3~8%的上述稀釋劑,攪拌60min~180min后,得到鍍銀低熔點合金粉/基體樹脂導電膠。
5.如權利要求4所述的過溫過流保護元件用導電膠的制備方法,其特征在于:步驟d中,所述分散劑為苯并三氮唑、聚乙烯吡咯烷酮或烷基酚聚氧乙烯醚等中的任意一種;所述還原劑為甲醛、葡萄糖、水合肼、酒石酸、果糖、草酸等中的至少一種;所述添加劑為酒石酸、酒石酸鈉、酒石酸鉀鈉、乙二胺四乙酸二鈉、檸檬酸鈉中的至少一種。
6.如權利要求4所述的過溫過流保護元件用導電膠的制備方法,其特征在于:步驟f中,所述表面活性劑為硅烷偶聯劑、鈦酸酯偶聯劑、脂肪酸酯、聚乙烯吡咯烷酮或油酸中的一種。
7.如權利要求4所述的過溫過流保護元件用導電膠的制備方法,其特征在于:步驟g中,所述促進劑為乙醇胺、三乙醇胺、2-乙基-4甲基咪唑等中的一種;所述稀釋劑為丙酮、乙酸乙酯、丁基縮水甘油醚、乙二醇二縮水甘油醚中的一種。
8.如權利要求4所述的過溫過流保護元件用導電膠的制備方法,其特征在于:步驟h中,所述固化劑為甲基六氫苯酐、三氟化硼-單乙胺、三氟化硼氮雜環已烷等中的一種。
9.如權利要求4所述的過溫過流保護元件用導電膠的制備方法,其特征在于:所述銀基前驅體為硝酸銀、乙酸銀、碳酸銀等中的一種;所述導電膠中鍍銀低熔點合金粉表層銀含量通過加入的銀基前驅體比例來調整,或者通過重復步驟c~e進行多次鍍銀來實現;所述銀含量至少為低熔點合金粉的30wt%以上。
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