[發明專利]用于實現可控硅調光和高功率因數的電路

有效

• 申請號: 201310391394.3
• 申請日: 2013-09-02
• 公開（公告）號: CN103415128A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 陳暢;楊全;邊彬
• 申請（專利權）人: 陳暢
• 主分類號: H05B37/02
• 分類號: H05B37/02
• 代理公司: 江蘇永衡昭輝律師事務所 32250
• 代理人: 王劍

1.一種用于實現可控硅調光和高功率因數的電路，其特征在于，該電路包括：第一采樣電路（101）；第二采樣電路（118）；第一開關（SW1），所述第一開關（SW1）包括第一柵極、第一終端和第二終端；第二開關（SW2），所述第二開關（SW2）包括第二柵極、第三終端和第四終端；第三開關（SW3），所述第三開關（SW3）包括第三柵極、第五終端和第六終端；第二晶體管（M2），所述第二晶體管（M2）包括第四柵極、第七終端和第八終端；第三晶體管（M3），所述第三晶體管（M3）包括第五柵極、第九終端和第十終端；第四晶體管（M4），所述第四晶體管（M4）包括第六柵極、第十一終端和第十二終端；數模轉換器（103）；計數器（104）；反相器（102）；第一運算放大器（105）；第二運算放大器（106）；第七電阻（R7）；第五電容（C5）；第一比較器（107）；第一觸發器（110）；延遲電路（109）；第五電阻（R5）；第六電阻（R6）；第八電阻（R8）；第二比較器（108）；其中，所述第一采樣電路（101）采樣外部電壓信號并處理后傳送至所述第二運算放大器（106）的正輸入端，所述第二運算放大器（106）的負輸入端連接至所述第十二終端，所述第二運算放大器（106）的輸出端連接至所述第六柵極，所述第二采樣電路（118）采樣外部電壓信號并處理后傳送至所述第一運算放大器（105）的正輸入端，所述第一運算放大器（105）的負輸入端連接至所述第十終端，所述第一運算放大器（105）的輸出端連接至所述第五柵極,所述第九終端連接至所述第二終端，所述第十一終端連接至所述第四終端，所述第一終端和第三終端合并后連接至所述第八終端，所述第七終端接收外部供電電壓，所述第四柵極分別連接至所述第八終端和所述數模轉換器（103），所述第一柵極分別連接至所述反相器（102）的輸入端、第三柵極和外部第二觸發器（112）的Q非端，所述第二柵極連接至所述反相器（102）的輸出端，所述第十終端連接至所述第二比較器（108）的正輸入端，所述第十終端和第十二終端分別通過所述第五電阻（R5）和第六電阻（R6）接地，所述數模轉換器（103）分別連接至所述計數器（104）、第五終端和第七電阻（R7）的一端，所述第七電阻（R7）的另一端分別連接至第八電阻（R8）的一端和外部第三比較器（111）的負輸入端，所述第八電阻（R8）的另一端接地，所述第六終端分別連接至所述第五電容（C5）的一端和第一比較器（107）的負輸入端，所述第五電容（C5）的另一端接地，所述第一比較器（107）的正輸入端連接至第一基準電壓（Vref1），所述第二比較器（108）的負輸入端連接至第二基準電壓（Vref2），所述第一比較器（107）輸出至所述第一觸發器（110），所述第二比較器（108）的輸出端分別連接至所述計數器（104）的CLK端和延遲電路（109）的一端，所述第一觸發器（110）的D端接收外部供電電壓，所述第一觸發器（110）的Q非端連接至所述計數器（104）的UP/DN端，所述第一觸發器（110）的CLR端連接至所述延遲電路（109）的另一端。

2.根據權利要求1所述的用于實現可控硅調光和高功率因數的電路，其特征在于，所述第一采樣電路（101）包括：第九電阻（R9）、第十電阻（R10）、第十一電阻（R11）、第五晶體管（M5）、第六電容（C6）和第二反相器，所述第十電阻（R10）的一端連接至外部第一晶體管（M1）的漏極，所述第十電阻（R10）的另一端分別連接至所述第十一電阻（R11）的一端和第九電阻（R9）的一端，所述第十一電阻（R11）的另一端接地，所述第九電阻（R9）的另一端連接至所述第五晶體管（M5）的一端，所述第五晶體管（M5）的另一端分別連接至所述第六電容（C6）的一端和所述第二運算放大器（106）的正輸入端，所述第五晶體管（M5）的柵極連接至所述第二反相器的輸出端，所述第二反相器的輸入端連接至外部第一晶體管（M1）的柵極，所述第六電容（C6）的另一端接地；所述第二采樣電路（118）包括：第十二電阻（R12）和第十三電阻（R13），所述第十二電阻（R12）的一端連接至外部LC濾波器的輸出端，所述第十二電阻（R12）的另一端分別連接至所述第一運算放大器（105）的正輸入端和第十三電阻（R13）的一端，所述第十三電阻（R13）的另一端接地。

3.根據權利要求2所述的用于實現可控硅調光和高功率因數的電路，其特征在于，所述第五晶體管（M5）為N型場效應管。