[發明專利]凸點的制造方法

有效

• 申請號: 201310391143.5
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103413770A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 施建根;吳謙國;陳文軍
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種凸點的制造方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成有焊墊層和鈍化層，所述焊墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層上的第一開口暴露出焊墊層；

在所述焊墊層和所述鈍化層上依次形成第一掩膜層和第二掩膜層；

對所述第二掩膜層和第一掩膜層進行處理，形成露出焊墊層表面的第二開口，所述第二開口位于第一掩膜層內的部分為第一子開口，位于第二掩膜層內的部分為第二子開口，第一子開口水平投影面積大于第二子開口水平投影面積；

在所述第二開口內依次形成金屬柱和焊料層；

去除第二掩膜層和第一掩膜層；

對所述焊料層進行回流焊工藝。

2.如權利要求1所述的凸點的制造方法，其特征在于，所述第一子開口與第二子開口的深度比為1：80～1：60。

3.如權利要求2所述的凸點的制造方法，其特征在于，所述第一子開口的深度為0.5μm～2μm，第二子開口的深度為40μm～120μm。

4.如權利要求1所述的凸點的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜層和所述第二掩膜層的材料包括含有羧基的丙烯類共聚物，多官能（甲基）丙烯酸酯單體和光聚作用引發劑。

5.如權利要求4所述的凸點的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜層中光聚作用引發劑所占的質量百分比小于所述第二掩膜層中光聚作用引發劑所占的質量百分比。

6.如權利要求5所述的凸點的制造方法，其特征在于，所述第一掩膜層中光聚作用引發劑占第一掩膜層總質量的質量百分比為0.5～7.5%，所述第二掩膜層中光聚作用引發劑占第二掩膜層總質量的質量百分比為1～10%。

7.如權利要求6所述的凸點的制造方法，其特征在于，形成所述第一掩膜層和所述第二掩膜層的方法為貼干膜工藝。

8.如權利要求1所述的凸點的制造方法，其特征在于，在所述焊墊層和所述鈍化層上依次形成第一掩膜層和第二掩膜層步驟之前，還包括：

在所述焊墊層和所述鈍化層上形成凸點下金屬材料層。

9.如權利要求1所述的凸點的制造方法，其特征在于，在所述焊墊層和所述鈍化層上依次形成第一掩膜層和第二掩膜層步驟之后，還包括：

在所述第二掩膜層上形成保護層；

對所述保護層、第二掩膜層和第一掩膜層進行平整化處理；

去除所述保護層。

10.如權利要求9所述的凸點的制造方法，其特征在于，所述保護層材料為聚乙烯。

11.如權利要求1所述的凸點的制造方法，其特征在于，在形成所述金屬柱之后且在形成所述焊料層之前，還包括：在所述金屬柱上形成粘附層。