[發明專利]一種閃存單元

在審

• 申請號: 201310390616.X
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104425013A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 蘇志強;劉會娟
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術領域

本發明涉及閃存技術領域，尤其涉及一種閃存單元。

背景技術

閃存（Flash?Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的基本輸入輸出程序（BIOS）、個人數字助理（PDA）、數碼相機中保存資料等。

圖1是現有技術的閃存單元的結構示意圖。如圖1所示，傳統閃存存儲器的存儲部分11和控制部分12都被集成在同一顆芯片上。控制部分12包含接口控制模塊，狀態控制模塊，密碼控制模塊和電壓控制模塊。

其中，接口控制模塊包含：接口數據控制模塊128，用于控制接口的指令輸入和數據輸入；數據緩沖模塊129，用于緩存用戶輸入的數據。

其中，狀態控制模塊包含：讀寫控制模塊127，用于根據用戶輸入的指令，控制讀操作狀態或寫操作狀態；狀態寄存模塊123，用于寄存存儲存儲模塊111內部的狀態。

其中，密碼控制模塊包含：地址鎖存及計數121，用于控制用戶的訪問地址；行列譯碼器122，用于根據訪問地址，控制訪問存儲模塊111的物理地址。

其中，電壓控制模塊包含：高壓產生模塊124，用于產生存儲模塊111讀寫需要的電壓；參考電壓模塊125，用于產生存儲模塊111讀寫需要的參考電壓。

為了降低成本，存儲部分11的特征尺寸不斷降低，而控制部分12的特征尺寸卻沒有隨之降低，因此控制部分12相對存儲部分11的尺寸比例也越來越高，占整個閃存單元的面積的比例高達40%。隨著存儲部分11的工藝的不斷改進，控制部分12也必須使用先進工藝制程，而且每個閃存單元都需要各自的控制部分，這些因素都會導致閃存單元的成本的增加。由于控制部分12也要使用先進工藝制程，不僅增加了工藝的難度，同時引進了更多的工藝問題，例如功耗、柵氧厚度增加等問題，也給控制部分的電路設計帶來了負面影響。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提出一種閃存芯片，能夠降低工藝難度并且降低生產成本。

本發明實施例一種閃存單元，包括分立的存儲芯片和控制芯片，其中，所述控制芯片與所述存儲芯片連接，用于對所述存儲芯片進行控制。

優選地，所述存儲芯片包含疊封的多顆芯片。

優選地，所述控制芯片和所述存儲芯片通過封裝方式相連接。

優選地，所述存儲芯片和所述控制芯片通過疊封方式相連接。

優選地，所述疊封的多顆芯片中的每顆芯片均包含：

存儲模塊，包含存儲單元；

靈敏放大器，用于感應所述存儲單元存儲的數據，并將所述數據輸出。

優選地，所述控制芯片用于對所述存儲芯片的數據存取進行控制。

優選地，所述控制芯片的狀態控制模塊包含：

讀寫控制模塊，用于根據用戶輸入的指令，控制讀操作狀態或寫操作狀態；

存儲模塊片選控制，用于根據用戶的訪問地址控制所述存儲模塊進行片選；以及

狀態寄存模塊，用于寄存存儲所述存儲模塊內部的狀態。

優選地，所述存儲芯片為NAND存儲芯片或NOR存儲芯片。

本發明通過將分立的存儲芯片和控制芯片進行連接，控制芯片可以選擇工藝單獨制造，因此可以降低生產成本，而且也可以降低控制芯片的生產工藝的難度，避免了兩者集成可能出現的工藝問題。

附圖說明

圖1是現有技術的閃存單元的結構示意圖；

圖2是本發明實施例的閃存單元的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本發明的技術方案。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本發明，而非對本發明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本發明相關的部分而非全部內容。

圖2是本發明實施例的閃存單元的結構示意圖。如圖2所示，本發明提供了一種閃存單元，包括分立的存儲芯片21和控制芯片22，其中，所述控制芯片22與所述存儲芯片21連接，并且用于對所述存儲芯片21進行控制。